2019 年合并营收 487.71 亿元,年减 4.73%。业界普遍看好,今年存储产业市况将回温,华邦电也预期,今年产业景气将趋于稳定。

旺宏将工业、汽车和医疗应用视为未来三年的三个主要增长动能,由于价格竞争,庞大的中低端消费电子市场将不再是重点。

三星、SK海力士、铠侠、兆易创新、氟化氢、SSD、3D NAND、DRAM…

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,截止至12月30日,消费类NAND Flash价格指数累积涨幅已达16.5%,价格指数正在接近上一波涨价时的高点,部分产品更是创下2019年价格新高。

兆易创新DRAM芯片2021年完成客户验证并量产。

三星、长电科技、LPDDR5、MRAM、SSD、eMMC、3D NAND、光刻胶…

在2020年5G大战前夕,手机大厂5G手机已开始摩拳擦掌,跃跃欲试。5G手机代表着更高速度、更快的性能,以及更优的体验,而下一代存储技术将如何发展?在手机支持UFS3.0之后,2020年LPDDR5也将率先实现商用,超过PC发展。

据韩媒报道,三星电子已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的良率已达90%。

期待已久的索尼 CFexpress B 型 TOUGH 存储卡,将于圣诞假期开始发售。

IC Insights最新研究报告指出,2020年全球将有10座新的12寸晶圆厂进入量产阶段,全球晶圆产能将新增1790万片8寸约当晶圆,2021年新增产能将创历史新高达2080万片8寸约当晶圆。

由于原厂对Wafer价格涨价,且供货量有限,导致下游厂商采购成本水涨船高,再加上库存的消耗殆尽,因此刺激SSD、eMMC等相关NAND Flash产品价格表现大涨,备货需求也有所增加。

旺宏董事会通过2020年资本支出预算,预计投资新台币87亿元,资金来源为自有资金与银行融资,将于明年第 1 季起陆续投资,用于投入 3D NAND 研发的机器设备与厂务系统扩充。

内存和游戏外设制造商G.SKILL宣布推出基于Trident Z RGB, Trident Z Royal, 和Trident Z Neo系列的全新高容量、低延迟的DDR4-3200 CL14-18-18-38的内存套件。

OEM厂商OWC宣布全新的Accelsior 4M2超高性能PCIe M.2 NVMe固态硬盘,采用了四路 M.2 组合、提供 8TB 容量,实际速度超过6,000 MB/s。

2D NAND的发展进程中,光刻技术是推动其发展的关键工艺,3D NAND则完全不同,存储单元以垂直堆叠的方式实现容量的增长。在层层堆叠的过程中,沉积和蚀刻这两项工艺将面临巨大的挑战。

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