本周科技巨头纷纷发布2018年第三季财报,根据目前公布的数据,受Q3旺季需求带动影响,除了西部数据,三星、英特尔、美光、微软、SK海力士等财报均表现亮眼,尤其是存储器厂商,受惠于智能手机、服务器等存储容量不断增加,带动Bit出货量增长,财报均同比表现大涨。
近几年,中国在存储领域大手笔投资,主要瞄准3D NAND、DRAM、NOR Flash、SLC NAND等产品线。当下,除了武汉存储基地一期投入生产,武汉、南京、成都三大项目陆续宣布开工,代表着中国存储产业发展又向前推进了一大步。
各家原厂在3D技术上发展迅速,目前大部分原厂3D NAND产出占比已高达80%以上,基于容量和成本的优势,自东芝采用96层3D TLC推出XG6系列SSD之后,西部数据也发布了基于96层3D NAND的UFS 2.1,引领新一代96层3D NAND技术积极
8月eMMC价格走势平稳,其中eMMC 32GB TLC价格维持7.5美金,eMMC 64GB TLC价格维持14美金。SSD方面,受新的64层3D NAND扩大应用的影响下,高容量SSD价格持续下滑。
2018上半年原厂64层3D NAND市场应用逐步扩大,下半年开始陆续量产更低成本的QLC以及96层3D NAND,使得市场NAND Flash Bit供应量大幅增加。2018年NAND Flash价格基本回到了2016年涨价时期的价格水平。
近期,三星、东芝/西部数据、英特尔/美光、SK海力士,以及长江存储均发布了其创新技术和战略规划。各家原厂2018下半年目标是进入64层QLC NAND和96层TLC NAND量产阶段,2019年推进96层QLC NAND技术发展。
2018年Q2已经结束,存储产业链原厂、主控厂及模组厂相继发布财报,虽然受NAND Flash价格下滑的影响,但是受惠于服务器和SSD产品需求强劲,大部分Flash原厂财报表现亮眼,主控厂和模组厂财报表现跌涨不一。
随着各大Flash原厂64层/72层3D NAND规模量产,使得2018上半年NAND Flash价格持续下滑,如何提升产能、加强成本竞争力成为各大原厂共同面临的难题。2018下半年各原厂3D技术均有突破,新一代QLC和96层NAND技术即将面世。
随着2018年各原厂64层3D NAND量产单Die容量纷纷提升至256Gb或512Gb,同时向QLC和96层技术发展,NAND Flash Bit市场供应量大幅增加。上半年NAND Flash综合价格指数下跌35%,每GB价格已下探至0.16美元。
NAND Flash价格在经历了2016年和2017年暴涨之后,2018上半年市场行情回归理性,基本已回到2016年的价格水平。在各家原厂全面转向3D NAND供应出货以及QLC新架构助攻下,2018年NAND Flash供应量增幅将超过40%。
2018年各家原厂64层3D NAND量产单Die容量纷纷提升至256Gb或512Gb,且重点发展QLC和96层技术,预计到2018年底各家原厂3D NAND产能占比都将超过80%以上,2018年底或2019年96层3D NAND将面世。
随着大数据、物联网、人工智能等应用的快速发展,海量数据存储需求与日俱增,同时对大容量、高性能存储需求迫切。在Flash原厂技术发展的推动下,继TLC之后,QLC新架构即将进入大家的视野,而且将逐渐取代TLC成为市场主流,如当初TLC取代MLC一样。
据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,2018年NAND Flash综合价格指数已累计下滑29%,已基本回到2016下半年的水平,NAND Flash每GB价格已下探至0.17美金。
本周(5月8日)高容量SSD价格则大幅下滑,其中240GB价格已下滑至44美金,2018年累计下滑36%,不仅创历年SSD季度跌幅新高,且已重回2016年所创下的历史低点。480GB价格则下探至86美金,120GB价格维持在27美金左右。
本周三星、SK海力士、西部数据、英特尔相继公布了首季财报,受惠于市场对手机、服务器和SSD产品的需求强劲,以及原厂报价较高的因素,Flash原厂财报表现亮眼。