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嵌入式

  • 大为创芯LPDDR5大为创芯LPDDR5

    提供3GB、4GB、6GB、8GB容量选择,传输速率6400MHz。DWMicro 2024-03-22

  • Micron UFS 4.0 Micron UFS 4.0

    美光UFS 4.0采用232层3D TLC NAND,共有三种容量选择256 GB、512 GB和1TB。Micron 2023-10-30

  • KIOXIA UFS 4.0KIOXIA UFS 4.0

    铠侠UFS 4.0产品将采用BiCS FLASH 3D闪存颗粒,最高传输速度可达4640MB/s, 并向下兼容 UFS 3.1。KIOXIA 2023-05-31

  • 大为创芯eMMC大为创芯eMMC

    提供32GB、64GB容量选择,兼容JEDECeMMC5.1规范并支持HS400高速模式。DWMicro 2023-02-13

  • FORESEE LPDDR4X系列FORESEE LPDDR4X系列

    广泛应用于便携设备的运行内存产品,提升性能的同时降低系统功耗。FORESEE 2022-12-12

  • 大为创芯LPDDR4/4X大为创芯LPDDR4/4X

    提供2GB、4GB、8GB容量选择,传输速率3200MHz。DWMicro 2022-11-14

  • FORESEE ePOP3系列FORESEE ePOP3系列

    集成了eMMC和LPDDR的复合产品,为穿戴式设备量身定做。对比eMCP产品厚度更薄、尺寸更小。FORESEE 2022-09-06

  • FORESEE UFS系列FORESEE UFS系列

    基于高性能控制器和新世代3D NAND Flash研发,满足对高性能、低功耗、兼容性和稳定性要求。FORESEE 2022-08-23

  • FORESEE eMCP4x系列FORESEE eMCP4x系列

    集成eMMC和LPDDR的复合产品,释放PCB空间,助力智能设备小型化和轻薄化。FORESEE 2022-08-09

  • FORESEE uMCP系列FORESEE uMCP系列

    集成UFS和LPDDR的复合产品,释放PCB空间,助力智能设备小型化和轻薄化。FORESEE 2022-08-09

  • 大为创芯DDR4大为创芯DDR4

    提供4Gb、8Gb两种容量选择,传输速率2666MHz,符合JEDEC标准。DWMicro 2022-06-17

  • 大为创芯DDR3L大为创芯DDR3L

    提供2Gb、4Gb两种容量选择,传输速率1866MHz,符合JEDEC标准。DWMicro 2022-06-17

  • FORESEE eMMC系列FORESEE eMMC系列

    基于高性能控制器和新世代3D NAND Flash研发,满足对高性能、低功耗、兼容性和稳定性要求。FORESEE 2022-06-16

  • Samsung UFS 4.0Samsung UFS 4.0

    三星UFS 4.0使用176 层第7代V-NAND,提供 4200MB/s 的顺序读取速度和2800 MB/s的顺序写入速度Samsung 2022-05-25

  • 时创意eMMC时创意eMMC

    采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片,搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。SCY 2022-03-25

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