嵌入式

• 西部数据iNAND MC EU551

  采用96层3D NAND，适用于5G智能手机，可提供128G、256G和512G三种容量选择。WD/SanDisk 2021-06-24

• Micron车用UFS3.1

  采用96层3D NAND，提供256GB和128GB容量选择，与UFS 2.1性能相比，读取速度快2倍，写入速度提高50%。Micron 2020-06-01

• 三星eUFS3.1

  采用第五代V-NAND，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，提供512GB、256GB和128GB容量选择。Samsung 2020-03-17

• 西部数据iNAND MC EU521

  采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。WD/SanDisk 2020-03-02

• WD iNAND AT EM132

  采用64层3D TLC，符合e.MMC 5.1标准，提供32GB-256GB容量。WD/SanDisk 2019-05-09

• Toshiba 汽车级UFS 2.1系列

  容量从32GB-256GB，具有符合JEDEC/UFS版本2.1的接口，符合AEC-Q100 Grade2要求。KIOXIA 2019-03-26

• 三星eUFS 3.0

  采用512Gb V-NAND，集成高性能控制器，提供128GB和512GB容量。Samsung 2019-02-27

• WD iNAND MC EU511

  采用96层3D NAND，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格，提供64GB-512GB容量选择。WD/SanDisk 2019-02-22

• 三星eUFS 2.1

  采用第五代512Gb V-NAND，最大容量1TB，尺寸大小11.5mm x 13.0mm。Samsung 2019-01-30

• WD iNAND IX EU312

  基于3D NAND架构，最高读取速度可达750 MB/s ，最高写入速度可达320 MB/s。WD/SanDisk 2018-10-24

• WD iNAND MC EU321

  采用3D TLC，符合UFS 2.1接口协议，提供16-256GB容量选择。WD/SanDisk 2018-10-19

• WD iNAND MC EU321

  采用了96层3D NAND技术，符合UFS 2.1协议规范，提供32GB-256GB容量选择。WD/SanDisk 2018-10-10

• FORESEE eUFS系列

  采用高性能主控和稳定的NAND Flash，符合UFS2.1规范，提供32-128GB容量选择，主要用于安卓高端旗舰智能手FORESEE 2018-05-16

• Sandisk iNAND 8521系列

  提供32GB-256GB容量，采用UFS 2.1接口和第五代SmartSLC新技术提供加倍的连续写入速度。WD/SanDisk 2017-12-05

• Sandisk iNAND 7550系列

  32GB-256GB容量选择，eMMC 5.1规范，提供260MB/s连续写入性能。WD/SanDisk 2017-12-05

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