采用第五代V-NAND,其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍,提供512GB、256GB和128GB容量选择。Samsung 2020-03-17
采用主流的96层3D NAND,并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存,可提供最高800MB/s的顺序写入速度。WD/SanDisk 2020-03-02
采用64层3D TLC,符合e.MMC 5.1标准,提供32GB-256GB容量。WD/SanDisk 2019-05-09
容量从32GB-256GB,具有符合JEDEC/UFS版本2.1的接口,符合AEC-Q100 Grade2要求。KIOXIA 2019-03-26
采用512Gb V-NAND,集成高性能控制器,提供128GB和512GB容量。Samsung 2019-02-27
采用96层3D NAND,支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格,提供64GB-512GB容量选择。WD/SanDisk 2019-02-22
采用第五代512Gb V-NAND,最大容量1TB,尺寸大小11.5mm x 13.0mm。Samsung 2019-01-30
基于3D NAND架构,最高读取速度可达750 MB/s ,最高写入速度可达320 MB/s。WD/SanDisk 2018-10-24
采用3D TLC,符合UFS 2.1接口协议,提供16-256GB容量选择。WD/SanDisk 2018-10-19
采用了96层3D NAND技术,符合UFS 2.1协议规范,提供32GB-256GB容量选择。WD/SanDisk 2018-10-10
采用高性能主控和稳定的NAND Flash,符合UFS2.1规范,提供32-128GB容量选择,主要用于安卓高端旗舰智能手FORESEE 2018-05-16
提供32GB-256GB容量,采用UFS 2.1接口和第五代SmartSLC新技术提供加倍的连续写入速度。WD/SanDisk 2017-12-05
32GB-256GB容量选择,eMMC 5.1规范,提供260MB/s连续写入性能。WD/SanDisk 2017-12-05
提供8GB-128GB容量,采用高性能主控和稳定的NAND Flash,主要用于智能手机、机顶盒、平板以及车载导航。。FORESEE 2017-09-08
采用通用SPI接口,工作电压2.3V~3.6V,可供选择的容量大小为4Mbit到128Mbit。longsys 2017-08-31
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