Samsung 3D TLC ADGU0D采用16nm工艺,提供16GB容量选择。
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据韩媒报道,三星电子详细阐述了其价值2655万亿韩元的集团国内投资计划。该计划的核心是扩大全国范围内的生产基地,重点发展人工智能(AI)半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。据悉,三星正投资2030万亿韩元用于培育半导体产业集群,其中包括平泽园区和龙仁国家工业园区,并计划在湖南、忠清和岭南地区投资625万亿韩元,重点发展人工智能半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。具体来看,为积极应对湖南地区半导体市场爆炸式增长的需求,三星计划投资总计425万亿韩元,其中400万亿韩元将用于半导体领域的投资。三星电子正致力于在光州建设一座新的半导体制造厂,并打造一个基于数字孪生技术的创新中心。三星电子将在忠清地区投资总计140万亿韩元,其中关键项目是在天安和温阳建设高带宽内存(HBM)晶圆厂。三星计划在岭南地区投资60万亿韩元。该公司旨在通过将人工智能转型(AX)和机器人转型(RX)融入其核心制造领域,将其现有制造业转型为高科技产业。
深圳市时创意电子股份有限公司创业板IPO申请已获受理,保荐机构为中信证券。时创意拟公开发行A股数量不超过1.16亿股,计划募集资金18.42亿元,募集资金将投向半导体存储器扩产、研发中心扩建及补充流动资金三个项目。
针对“6月25日7时30分左右发生在日本东北地区的地震”,铠侠最新回应称,经确认,其北上工厂的建筑物和设施未受损,北上工厂的生产活动照常进行。
美光在其最新业绩会议上透露,其从力积电手中收购的苗栗铜锣一厂预计将于 2027 年中开始贡献有意义的 DRAM 出货,较此前预期提前 1 个季度。而在洁净室约 28000m² 的铜锣一厂旁边,洁净室面积约 25000m² 的美光铜锣二厂也已启动建设。这座新晶圆厂将支持 EUV 光刻图案化设备,面向 1γ、1δ 乃至此后的先进 DRAM 制程工艺。
随着AI大模型参数量的不断膨胀,业界对HBM(高带宽内存)的堆叠层数需求正逼近物理极限。然而,芯片越堆越高,随之而来的“积热”问题便成了制约性能释放的最大瓶颈。近日,三星电子用一项重磅研究给出了破局方案:其研究团队首次通过量化数据证实,在下一代HBM封装中采用的混合铜键合(HCB)技术,在热管理上全面优于传统的热压接合(TCB)。
美光预计DRAM和NAND的供需状况将在2027年以后继续保持紧张。受限于新建晶圆厂漫长的建设周期、关键技工短缺、复杂的法规审批以及HBM对常规产能的持续挤压,行业供应紧张的局面预计将持续至2027年之后,直到2028年才会逐步改善。
美光2026财年第三财季(截至2026年5月28日)实现营收414.56亿美元,同比大增346%,环比大增74%;Non-GAAP下,营业利润336.81亿美元,同比暴增12.5倍,环比增长105%;净利润288.57亿美元,同比暴增12.2倍,环比增长106%。调整后每股收益(EPS)达25.11美元,远超分析师预期的20.49美元;调整后毛利率达84.9%。
长电科技公告称,拟通过设立控股子公司,在上海临港新片区建设高端先进封测工厂,项目总投资78亿元,注册资本预计40亿元。项目分两期建设,其中一期涵盖厂房建设、装修及设备投资等,计划于2028年下半年完成。
美光科技与Anthropic宣布建立长期战略合作,内容覆盖AI内存与存储架构设计、多年期产品供应、Claude在美光内部的企业级应用,以及美光对AnthropicH轮融资的战略投资。
三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽,顺序读取速度高达10.8 GB/s,顺序写入速度高达9.5 GB/s,顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度,同时提高了能效并缩小了封装尺寸,可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0,容量最高可达1TB。