三星首证HBM封装新技术优势:混合铜键合破解“高积热”难题

存储器 2026-06-25 16:46

随着AI大模型参数量的不断膨胀,业界对HBM(高带宽内存)的堆叠层数需求正逼近物理极限。然而,芯片越堆越高,随之而来的“积热”问题便成了制约性能释放的最大瓶颈。近日,三星电子用一项重磅研究给出了破局方案:其研究团队首次通过量化数据证实,在下一代HBM封装中采用的混合铜键合(HCB)技术,在热管理上全面优于传统的热压接合(TCB)。

简讯快报

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