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DRAM大厂美光科技,美国时间周一主动释出消息,表示正与台湾当局商讨,如何将二千项专利,以技术股作价方式,与台湾当局合资成立研发公司,由该研发公司扮整合平台,整合台湾DRAM业。
美国DRAM大厂Micron Technology(MU-US)周一表示,为因应既定的缩减业务计画,至今年度结束以前(8月底)最多将裁员2000人。
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环球晶圆董事长徐秀兰表示,此次与美光签署10年长期供货协议(LTA),是该司成立以来最长期限的供货合约,除反映客户对AI、高效能运算及数据中心需求的长期信心,也显示硅晶圆客户重新提高签署长约意愿,目前已有多家客户重新启动合作洽谈。美光愿意签署10年长约,代表这一波AI需求不只是短期循环,而是更长时间的成长趋势。
据外媒报道,美国商务部长霍华德·卢特尼克表示,他希望三星电子和SK海力士能够扩大其在美国的半导体生产设施。卢特尼克在出席美光纽约州克莱工厂的混凝土浇筑仪式时表示:“我希望把美光的竞争对手三星电子和SK海力士带到美国建厂。既然美光走在了前列,竞争对手就会心生嫉妒,最终不得不效仿。”对此,三星和SK海力士均回应称,“目前尚未进行任何具体讨论”。两家公司表示,如果条件允许,他们会考虑扩大在美国的生产设施。
美光宣布,受AI时代对存储器需求激增的推动,公司将加快其在美国的晶圆厂和技术投资计划,预计到2035年将支出增加到2500亿美元以上。该投资计划旨在实现美国本土产能占其DRAM总产量的比例提升至40%。作为投资的一部分,美光计划投入高达30亿美元用于强化美国半导体供应链生态系统,包括向环球晶圆公司提供5亿美元的战略融资支持,并与环球晶圆签订为期10年的供应协议获得硅晶圆产能保障。
当地时间7月9日,美股三大股指集体收涨。截至收盘,道琼斯工业指数涨幅0.27%,报52487.41点;标普500指数涨幅0.81%,报7543.64点;纳斯达克综合指数涨幅1.30%,报26206.89点。其中,大型科技股表现分化,AMD涨超5%,高通涨超2%,亚马逊涨超1%,苹果涨0.9%,微软涨0.27%,谷歌A、谷歌C跌分别跌0.84%、0.69%,英伟达跌0.66%;存储板块普遍收涨,闪迪涨超7%,西部数据涨超5%,美光涨超4%,希捷涨超3%。
应用材料公司首席执行官表示,芯片制造商正在向该公司分享未来两年或更长时间的设备需求展望,以确保产能扩张顺利进行。这表明,当前由人工智能驱动的投资热潮可能会比预期持续更长时间。应用材料公司为全球主要芯片制造商提供半导体设备,包括台积电、三星电子、英特尔、SK海力士、美光和铠侠。
当地时间7月8日,美股三大股指涨跌互现。截至收盘,道琼斯工业指数跌1.09%,报52348.39点;标普500指数跌0.28%,报7482.71点;纳斯达克综合指数涨0.20%,报25870.65点。其中,大型科技股表现分化,英伟达涨超3%,高通涨超1%,苹果涨0.88%,AMD涨0.25%,微软、谷歌A、谷歌C跌超1%,亚马逊跌0.96%;存储板块普遍收涨,闪迪涨超6%,西部数据、希捷涨超3%,美光涨超1%。
当地时间7月7日,美股三大股指全线收跌。截至收盘,道琼斯工业指数跌幅0.25%,报52925.15点;标普500指数跌幅0.45%,报7503.85点;纳斯达克综合指数跌幅1.16%,报25818.69点。其中,大型科技股表现分化,AMD跌超6%,高通跌超1%,苹果跌0.64%,谷歌C跌0.35%,谷歌A涨0.16%,微软涨0.54%,英伟达涨0.71%,亚马逊涨0.75%;存储板块普遍收跌,西部数据、闪迪跌超7%,希捷、美光跌超4%。
美光科技和福特汽车公司宣布了一项长期战略客户协议(SCA),以加强对福特下一代汽车生产的内存和存储解决方案的供应。这项 SCA 是美光公司在 2026 财年第三季度财务电话会议上讨论的 16 项 SCA 之一。
当地时间7月6日,美股三大股指全线收涨。截至收盘,道琼斯工业指数涨0.29%,报53055.91点,续创历史新高;标普500指数涨0.72%,报7537.43点;纳斯达克综合指数涨1.12%,报26121.16点。其中,大型科技股多数收涨,AMD涨超6%,高通涨超5%,谷歌C涨超2%,谷歌A、苹果涨超1%,英伟达、亚马逊分别涨0.37%、0.61%,微软跌0.96%;存储板块多数收涨,西部数据涨超7%,希捷涨超5%,美光涨0.96%,闪迪跌0.03%。
据媒体报道,美光科技于周六举行日本西部工厂扩建奠基仪式,该扩建项目投资1.5万亿日元(折合93亿美元),用于生产高带宽存储器(HBM)等先进存储芯片,主要服务于AI处理器需求,预计相关产品将在2028年夏季左右开始出货。据悉,日本经济产业省将提供最高约5000亿日元补贴支持。该项目是美光全球AI存储产能扩张计划的一部分,公司同时在美国爱达荷州和纽约州推进大规模先进制程投资,以提升DRAM与HBM供应能力。
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