美光科技与铟公司共同投资纽约关键矿物加工厂

美光宣布将投资关键矿物加工和高纯度材料制造，此举预计将支持铟公司在纽约州中部地区的产能扩张，并重启对先进半导体制造至关重要的关键矿物的美国国内加工。这项投资是美光公司7月份宣布的计划的一部分，该计划旨在投资高达30亿美元，以加强美国半导体供应链生态系统，并确保关键制造材料的可靠国内供应。

根据协议，美光科技将提供战略资金，助力铟公司扩大其位于纽约州罗马市的精炼和制造业务。双方将签署一项长期供应协议，确保美光科技能够获得这些高纯度矿物。这项投资有望降低对全球集中精炼产能的依赖，从而满足日益增长的国家安全需求。

SK海力士今日正式宣布，旗下美国子公司Solidigm已决定停止推进Pre-IPO融资及首次公开募股（IPO）计划。 自8月5日首次披露上市准备以来，历时79天，该资本运作最终暂停。

据外媒报道，微软近日成立了一个新团队，专注于超级计算和人工智能工作负载的交叉领域。AI超级计算机基础设施团队由微软资深人士Daniel Firestone领导，该团队将支持客户“最苛刻的训练任务和大规模推理工作负载”。

当地时间10月22日，美股三大股指涨跌互现。截至收盘，道琼斯工业平均指数涨0.02%，报52867.98点；纳斯达克指数跌2.6%，报26008.86点；标普500指数跌1.21%，报7663.43点。其中，大型科技股多数收跌，AMD跌超8%，英伟达、亚马逊跌超4%，谷歌A、谷歌C均跌超3%，高通、微软跌超2%，苹果涨超1%；存储板块普遍收跌，SK海力士、闪迪跌超8%，希捷跌超7%，美光、西部数据跌超6%。

据媒体报道，美光科技近日举办了 2026 年技术网络研讨会，公布其AI存储路线图。DRAM方面，美光已将1δ（1-Delta）定位为1γ技术的后续产品，且其DDR6和LPDDR6都基于即将推出的1δ DRAM节点，其中DDR6的带宽是DDR5的两倍，而LPDDR6的能效提高了35%。此外，美光科技已在规划HBM5、HBM5E和HBM6技术，同时还将开发vHBM和vEIM。NAND方面，美光正在研发其G11。G11将采用晶圆级键合技术，拥有超过400层的厚度以及业界领先的单元间距。G11 NAND预计将于2027年下半年实现量产。从理论上讲，G11 NAND的位密度将是G9 NAND的约2倍，IO速度将提升1.5倍，每次数据传输的效率将提高25%以上。

英伟达首席执行官黄仁勋表示，新型云服务商对算力的需求“异常好”（off the charts）。

中微公司宣布，其 Primo Domingo 气相高选择性刻蚀设备的全球首台机已付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备针对 GAA 晶体管、3D NAND 和 3D DRAM 等下一代三维器件工艺开发，中微公司称其填补了国内在下一代 3D 半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

据媒体援引供应链消息，苹果已将其首款折叠屏手机iPhone Duo未来12个月的出货目标上调44%，由原定的970万部提高至1400万部。报道称，iPhoneDuo 预购开始后不久，部分市场的预计交付时间便已延后至2027年1月，显示早期订单规模显著超出备货水平。此次目标上调的直接原因，是该机自开启预购以来需求远超苹果预期，促使公司向供应链追加订单。

美光宣布面向全球员工推出一项与公司利润挂钩的新季度奖金计划，明确是为回应中国台湾工会提出的利润分享诉求。新奖金将在现有年度激励薪酬之外额外发放，采用50% 现金 + 50% 股票的形式；同时将中国台湾员工的退休金提拨比例从8% 提高至 10%，并增加三天带薪休假。

近日，东芯半导体股份有限公司发生工商变更，注册资本由约4.4亿元人民币增至约6.6亿元人民币，增幅约49%。

海光信息董事、总经理沙超群在业绩会上回答投资者提问表示，公司在手订单充足，目前算力基础设施仍在加速扩容，国产模型与国产芯片的深度适配成为明确方向，公司产品在AI算力环节需求持续攀升，能够有力支撑公司业绩的增长。

美光在中国台湾地区的劳资协商出现分化。据台媒报道，其台中厂区工会已于10月21日与公司达成共识并签署劳资协议，撤回原定于10月22日进行的调解程序；桃园厂区工会则因利润分享等诉求尚未取得具体回应，宣布由11位工会干部自10月22日上午9时至23日上午9时，在桃园公司门口进行24小时罢工。后续协商进展及实际参与范围，将是观察生产与供货影响的重点。

面对近期内存厂商在下一代DRAM路线图上产生分歧而引发的“设备需求放缓”担忧，Lam Research CEO Tim Archer在2027财年第一季度（2026年6月29日至9月27日）业绩说明会上给予了正面回应。Archer指出，随着所有半导体器件结构向3D转型，刻蚀和薄膜沉积工艺的比重将显著提升。他特别强调，如果DRAM技术从6F²结构直接转向3D DRAM，刻蚀和沉积工艺的需求增长将比预期来得更早、更陡峭。无论厂商选择哪种路径，只要致力于延长现有结构寿命并进一步微缩图案，就会增加对Aether和Akara等先进工艺技术的需求。这意味着，DRAM制造商的技术微缩和结构变革将持续推动设备需求的扩大。

据韩媒报道，三星电子设备解决方案（DS）部门近期在其半导体研究所内新设负责存储新产品研发的“核心团队”，以进一步提升下一代存储器的开发速度与技术完成度。该团队将与存储器事业部协同推进新产品开发，重点围绕DRAM、NAND闪存等核心课题开展联合研发。

据韩媒etnews引述业界消息，SK海力士近期已与国内外材料、零部件及设备（简称“小部件”）供应商展开接触，旨在推进iHBM技术的升级与生产准备。据悉，双方重点讨论了iHBM在实际产品中的应用方案及量产计划。

知情人士透露，SK海力士正在试探通过与小部件供应商的合作，以将iHBM应用于实际工艺并实现商业化。这表明公司正通过评估量产可行性，正式启动商业化进程。

据韩联社报道，SK海力士于21日在韩国证券市场（KOSPI）完成了一项为期两个月、总额达40万亿韩元的股票回购计划。SK海力士此前宣布，将投资40万亿4340亿韩元回购2407万股库存股，随后全部注销。最初宣布的回购期为8月20日至11月19日，但相关计划提前约一个月完成。至此，三星电子和SK海力士总计55万亿韩元的大规模股票回购计划已完成。

腾讯控股发布公告，已于2026年10月21日(纽约时间)，根据全球中期票据计划完成发行18亿美元及人民币260亿元票据。

当地时间10月21日，美股三大股指集体收涨。截至收盘，道琼斯工业平均指数报52856.09点，涨0.69%；纳斯达克指数报26702.86点，涨1.05%；标普500指数报7757.17点，涨0.58%。其中，大型科技股表现分化，AMD涨超3%，英伟达涨超2%，高通、苹果涨超1%，微软涨0.2%，亚马逊跌0.1%，谷歌A、谷歌C均跌超1%；存储板块普遍收涨，西部数据、希捷涨超3%，SK海力士涨超2%，美光涨超1%，闪迪涨0.94%。

英伟达宣布推出DSX POD参考架构，戴尔科技、HPE、联想、施耐德电气、维谛技术等企业参与相关生态建设。该方案采用模块化集装箱设计，计算及配套基础设施在工厂内完成集成和验证，交付后接入现场电力、冷却和网络等基础设施。英伟达称，相关合作伙伴计划于2027年初在全球交付模块化AI工厂。

当地时间10月20日，超微电脑在向美国证券交易委员会提交的初步业绩公告中表示，预计2027财年第一财季（2026年7-9月）营收为185亿至195亿美元，显著高于此前8月给出的145亿至155亿美元指引区间。

超微电脑将营收上调主要归因于AI平台需求持续增强。超微电脑主要供应搭载英伟达GPU的AI服务器及数据中心系统，全球大型科技企业持续扩大AI数据中心投资，带动服务器订单和交付节奏加快。