SK Hynix 921系列
SK Hynix 921系列

采用SK海力士自己2ynm Flash，单颗Flash Die容量64Gb，容量提供60GB-480GB，采用SATA III接口。

SK海力士 2013-11-05
Toshiba eMMC 5.0系列
Toshiba eMMC 5.0系列

容量从4GB-128GB，采用东芝19nm NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机和平板等移动设备。

铠侠 2013-11-02
Toshiba Q系列Pro SSD
Toshiba Q系列Pro SSD

采用19nm NAND Flash，SATAIII接口，读写速度均超过500MB/s，专为游戏玩家等高端用户设计。

铠侠 2013-11-01
Transcend JetFlash 820G系列
Transcend JetFlash 820G系列

采用USB 3.0接口，提高8GB-64GB的存储容量，搭配香槟金金属外壳，圆弧收边线条为U盘增添优雅气息。

创见 2013-10-25
Transcend JetFlash 790系列
Transcend JetFlash 790系列

采用USB 3.0接口，提高8GB-128GB的存储容量，满足极速传输与储存各类数码影音大文件的需求。

创见 2013-10-24
KingShare mSATA M200系列
KingShare mSATA M200系列

采用标准mSATA接口，SATA 3Gbps接口传输速度，最高190/120MB/s的读写速度，提供16GB-128GB存储容量。

金胜 2013-10-22
Sandisk极速MicroSD UHS-I系列
Sandisk极速MicroSD UHS-I系列

16GB-64GB容量为客户提供不同的选择，具有80MB/s读取速度，将智能手机、平板或相机功能发挥到极致。

闪迪 2013-10-16
SK Hynix eMMC 4.5系列
SK Hynix eMMC 4.5系列

提供8GB-64GB存储容量，采用1xnm NAND Flash，符合eMMC4.5规范标准。

SK海力士 2013-10-16
SanDisk极速SDHC/SDXC UHS-I系列
SanDisk极速SDHC/SDXC UHS-I系列

16-256GB容量选择，UHS-I规范U3的传输，读取速度高达90MB/s；写入速度60MB/s，可拍摄4K高清和3D电影质量视

闪迪 2013-10-15
SSD控制芯片
SSD控制芯片

慧荣SSD控制芯片可支持三星、东芝/SanDisk/SK Hynix/美光 MLC NAND，以及SATA 6Gb/s接口传输。

慧荣 2013-09-25
闪存卡主控芯片
闪存卡主控芯片

慧荣闪存卡主控芯片支持双信道的高效能，支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix等TLC/MLC NAND。

慧荣 2013-09-21
Phison USB 控制芯片
Phison USB 控制芯片

群联的 PS2251-01是一颗支持超高速的USB 3.0-to-Flash微控制芯片，可支持3X/2X奈米的闪存。PS2251-01可向下

群联 2013-09-21
Skymedi USB Flash Disk控制芯片
Skymedi USB Flash Disk控制芯片

Skymedi USB Flash Disk控制芯片支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix等NAND Flash。

擎泰 2013-09-19
Sandisk iSSD i110系列
Sandisk iSSD i110系列

从8GB-128GB具有多种容量。最高读写速度分别为450MB/s、350MB/s，提高快速启动和应用启动时间。

闪迪 2013-09-18
Phison SD控制芯片
Phison SD控制芯片

Phison微控制IC为SD卡的嵌入式NAND应用所设计，都内建Enhanced BCH ECC

群联 2013-09-18

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厂商快讯

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⊙06-18 07:47

SK海力士18日宣布，已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

⊙06-17 10:16

据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称，ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产，并于本月初完成产品质量认证，向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸（HF）。目前，该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后，从本月底开始，供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。

⊙06-17 10:15

据韩媒THE ELEC报道，济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示，公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5，作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年，具体规模尚未最终确定。据报道，济州半导体已与SK海力士签署合同，将在未来几年使用其工厂，生产基地据推测位于中国无锡。

⊙06-16 14:45

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号，丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择，预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建，为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s，顺序写入速度高达9,600MB/s。

⊙06-12 21:14

证监会同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。招股书显示，长鑫科技此次 IPO 拟募资 295 亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

⊙06-12 17:59

据韩媒inews24援引业内人士消息称，考虑到HBM4E计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。据透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月开始发货，最迟下个月也将开始。

⊙06-12 15:00

在近期的交易日中，铠侠市值曾一度突破 45万亿日元，短暂超越丰田并跃居日本第二。随着股价继续攀升，截至6月12日收盘，铠侠已成功登顶日本企业市值榜首。

⊙06-12 11:55

据韩媒朝鲜日报援引SK海力士和消防部门12日消息，当天上午9点55分（当地时间）左右，位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后，M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道，该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报，建议附近居民避开该区域，车辆绕行，因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门目前正在现场核实是否真的发生了气体泄漏。SK海力士方面表示，已完成初步控制，正调查具体情况，生产设备运行正常。本月1日，SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。

⊙06-12 09:45

据外媒报道，谷歌正在开发第十代TPU，代号为“Icefish”，预计最早于2028年投入量产。此前，谷歌的TPU大部分由台积电生产。然而，谷歌计划在第十代TPU中采用台积电的1.4nm工艺生产核心运算芯片，并采用三星的2nm工艺制造其内存I/O Die。此举被解读为，在台积电因AI需求导致产能接近饱和的情况下，谷歌寻求供应链多元化的一种策略。

⊙06-10 14:34

据韩媒报道，韩国半导体设备公司Pemtron今日宣布，近期已从美光科技获得一份新订单，为其提供用于AI服务器的SOCAMM2存储模块的检测设备。 此外，Pemtron还将向中国半导体企业供应半导体封装检测设备。 Pemtron表示，最近这笔订单是在经过全球顶级客户严格的大规模生产线评估后下的，公司已经证明了其检测设备的可靠性和大规模生产的稳定性。

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