| 型号 | 容量 | NAND Flash | 规范 | 封装 | 尺寸 | 工作温度 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| THGBMBG6D1KBAIL | 8GB | 二代19nm NAND | eMMC5.0 | 153Ball FBGA | 11.5mmx13mmx0.8mm | -25℃ - 85℃ | |
| THGBMBG7D2KBAIL | 16GB | 二代19nm NAND | eMMC5.0 | 153Ball FBGA | 11.5mmx13mmx0.8mm | -25℃ - 85℃ | |
| THGBMBG8D4KBAIR | 32GB | 二代19nm NAND | eMMC5.0 | 153Ball FBGA | 11.5mmx13mmx1.0mm | -25℃ - 85℃ | |
| THGBMBG9D8KBAIG | 64GB | 二代19nm NAND | eMMC5.0 | 153Ball FBGA | 11.5mmx13mmx0.8mm | -25℃ - 85℃ |
东芝eMMC V5.0嵌入式存储模块符合JEDEC发布的JEDEC eMMC 5.0版标准。采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片,11.5 x 13mm的小型FBGA封装,容量从4GB-128GB容量。主要应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品,批量生产从11月底开始。
能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的高密度NAND闪存芯片的需求不断增长。这在包含控制器功能的嵌入式存储器领域尤为明显,这种嵌入式存储器可以使开发要求降至最低,并使得整合进系统设计更加便利。东芝正通过增强其高密度存储器产品系列来满足这一需求。
该公司的新型32 GB嵌入式设备在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit(相当于8GB)NAND芯片(采用东芝的19纳米第二代尖端工艺技术制造)和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDEC eMMC 5.0版标准,并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。
东芝将在密度为4GB至128GB的单一封装嵌入式NAND闪存系列中使用这些NAND芯片。所有设备都将整合一个控制器来管理NAND应用的基本控制功能。