采用东芝64层BiCS TLC闪存,慧荣SM2258主控,2.5寸SATAⅢ和M.2 2280两种形态。
浦科特
2018-02-01
采用Intel64层3D TLC NAND,NVMe接口(M.2 2280设计),走PCIe 3.0 x4通道。
英特尔
2018-01-24
采用最新512Gb 和256Gb 64层V-NAND,最高4GB LPDDR4缓存以及新的MJX控制器。
三星
2018-01-24
采用64层3D TLC NAND,SATA 6.0 Gb/s接口速度,分为5200 ECO和5200 PRO。
美光
2018-01-24
采用东芝64层BiCS 3D TLC,搭配忆芯STAR1000主控,PCIe 3.0x4接口,容量有256GB、512GB、1TB三种。
建兴电子
2018-01-17
采用东芝64层3D NAND,Marvell 88SS103主控,包含AIC插卡形式和M.2两种规格形态,采用PCIe接口。
浦科特
2018-01-02
采用64层3D TLC NAND,慧荣SM2258主控,2.5寸和M.2 2280两种形态,最高容量可达2TB。
美光
2017-12-20
采用3D TLC,SATAIII 6Gb/s接口,提供32GB-1TB容量选择。
宜鼎国际
2017-12-19
采用MLC NAND,SATAIII 6Gb/s接口,DRAM-less设计,提供8GB-128GB容量选择。
宜鼎国际
2017-12-19
采用MLC NAND,SATAIII 6Gb/s接口,DRAM-base设计,提供32GB-256GB容量选择。
宜鼎国际
2017-12-19
采用iSLC NAND,SATAIII 6Gb/s接口,DRAM-less设计,提供16GB-128GB容量选择。
宜鼎国际
2017-12-19
采用3D TLC,SATAIII 6Gb/s接口,DRAM-base设计,提供128GB-256GB容量选择。
宜鼎国际
2017-12-19
采用iSLC NAND,SATAIII 6Gb/s接口,DRAM-less设计,提供8GB-64GB容量选择。
宜鼎国际
2017-12-19
采用SLC NAND,SATAIII 6Gb/s接口,DRAM-less设计,提供8GB-32GB容量选择。
宜鼎国际
2017-12-19
采用MLC NAND,SATAIII 6Gb/s接口,DRAM-less设计,提供32GB-256GB容量选择。
宜鼎国际
2017-12-19