SK Hynix eMMC 4.41系列
SK Hynix eMMC 4.41系列

提供2GB和4GB存储容量，采用2xnm NAND Flash，符合eMMC4.41规范标准。

SK海力士 2013-03-15
Sandisk 高速MicroSD UHS-I系列
Sandisk 高速MicroSD UHS-I系列

根据客户的不同需求，提供8GB-64GB不等容量产品，输速度高达30MB/s，Class 10等级速度可完美的视频捕捉。

闪迪 2013-03-12
SK Hynix 910系列
SK Hynix 910系列

SH910系列采用SK海力士自己26nm MLC NAND Flash，搭载SandForce SF-2281主控芯片，最高容量为512GB。

SK海力士 2013-02-05
Sandisk Micro SD系列
Sandisk Micro SD系列

存储容量从2GB-32 GB不等，速度等级为Class 4，具有防水、防冲击并防 X 射线的功能。

闪迪 2013-01-15
3S USB2.0 Flash Disk控制芯片
3S USB2.0 Flash Disk控制芯片

3S闪存盘控制ICSSS6698和SSS6695支持USB 2.0传输接口，TLC或MLCNAND Flash。

鑫创 2013-01-02
StorArt SA3306 SD控制器
StorArt SA3306 SD控制器

符合SD 3.0规范，支持 2D/3D MLC/TLC，最大支持容量256GB。

衡宇芯 2013-01-01
StorArt SA3301 SD控制器
StorArt SA3301 SD控制器

符合SD 3.0规范，支持 2D/3D MLC/TLC，最大支持容量256GB。

衡宇芯 2013-01-01
BIWIN CF存储卡FG001
BIWIN CF存储卡FG001

BIWIN CF存储卡专为对速度、存储容量、性能和可靠性有严格要求的照片和视频专业人士设计和量身定制。

佰维存储 2012-06-20
Marvell 88SS9187 SSD控制芯片
Marvell 88SS9187 SSD控制芯片

支持6Gbps的传输接口，支持三星、东芝/Sandisk、美光、SK Hynix1x/1y MLC/TLC NAND Flash。

美满 2012-03-13
KingShare E200系列
KingShare E200系列

采用标准SATA II接口，最高190/120MB/s的读写速度，提供16GB-128GB存储容量，低功耗，启动速度快。

金胜 2012-02-22
KingShare halfslim H200系列
KingShare halfslim H200系列

采用halfslim接口，SATA 3Gbps接口传输速度，最高150/80MB/s的读写速度，提供8GB-128GB存储容量。

金胜 2012-02-07
innodisk MicroSD卡2.0
innodisk MicroSD卡2.0

采用SLC NAND，符合SD2.0规范，提供1-4GB容量选择。工作温度：0°C~ + 70°C，-40°C~ + 85°C。

宜鼎国际 2012-01-10
Marvell 88SE92xx SSD控制芯片
Marvell 88SE92xx SSD控制芯片

支持PCIe 2.0 x2和SATA 6Gb/s接口传输，9×9mm或更小的封装。

美满 2012-01-09
三星 DDR4 DRAM
三星 DDR4 DRAM

DDR4以更少的耗能提供更高的速度。带宽3200Mbps，1TB/s系统内存

三星 2011-01-17

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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