Marvell 88NV1160 SSD控制芯片
Marvell 88NV1160 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC和3D NAND，适合超薄计算存储设备。

美满 2016-08-10
YS5081 USB控制芯片
YS5081 USB控制芯片

支持1x/1y/1z nm 2D NAND以及3D MLC/TLC，专用于iOS UFD的USB3.1 Gen1主控。

得一微电子 2016-07-14
YS1581 USB控制芯片
YS1581 USB控制芯片

内置高性能的ECC纠错引擎，采用低功耗设计，提高产品稳定性和数据的安全性。

得一微电子 2016-07-14
YS8293 eMMC控制芯片
YS8293 eMMC控制芯片

支持主流的1x/1y/1z nm SLC/MLC/TLC NAND Flash，也支持旧制程NAND Flash，采用超稳定技术、全局磨损平衡技

得一微电子 2016-07-14
SMI SM2258 SSD控制芯片
SMI SM2258 SSD控制芯片

SM2258支持主流2D/3D TLC NAND，支持SATA 6Gb/s接口，顺序读取与写入性能分别高达560MB/s。

慧荣 2016-06-08
SMI SM2260 SSD控制芯片
SMI SM2260 SSD控制芯片

SM2260支持主流3D MLC/TLC NAND，支持PCIe Gen3x4接口，顺序读写分别为2400MB/s和1000MB/s。

慧荣 2016-06-08
Phison PS3111 SSD控制芯片
Phison PS3111 SSD控制芯片

Phison PS3111 是一款可以支持2D&3D NAND Flash的SATA SSD主控芯片，顺序读写速度分别可达550MB/s和500MB/s

群联 2016-05-30
Phison PS5007-E7 SSD控制芯片
Phison PS5007-E7 SSD控制芯片

PS5007-E7是Phison推出的第一款支持PCIe Gen3.0x4接口SSD主控，数据传输速度最高可达2600MB/s。

群联 2016-05-30
SMI eMMC 5.1控制芯片
SMI eMMC 5.1控制芯片

符合eMMC5.1规范，适用于智能手机、平板电脑、Smart TV、游戏机、机顶盒及其他消费性电子产品。

慧荣 2015-05-13
Marvell 88NV1140 SSD控制芯片
Marvell 88NV1140 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC和3D NAND，适合2合1平板/超极本/Chrome存储。

美满 2014-12-08
Marvell 88NV1120 SSD控制芯片
Marvell 88NV1120 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC和3D NAND，适合2合1平板/超极本/Chrome存储。

美满 2014-12-08
Phison PS3110控制芯片
Phison PS3110控制芯片

Phison PS3110 是一颗可以支持TLC NAND Flash的SATA SSD主控芯片。最多可支援8通道&32CE NAND Flash。

群联 2014-10-13
3S USB3.0 Flash Disk控制芯片
3S USB3.0 Flash Disk控制芯片

3S闪存盘控制ICSSS6130和SSS6131，支持USB 3.0传输接口，TLC或MLCNAND Flash。

鑫创 2014-08-21
SMI SM2256 SSD控制芯片
SMI SM2256 SSD控制芯片

可支持1x/1y/1znmTLC NAND和SATA 6Gb/s接口传输速度，以及LDPC硬解码纠正错误。

慧荣 2014-08-06
Marvell 88SS1093 SSD控制芯片
Marvell 88SS1093 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC NAND Flash，支持PCIe3.0x4存储。

美满 2014-08-05

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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