SM2263 SSD控制芯片
SM2263 SSD控制芯片

四通道，支持16bit DRAM缓存，持续读写最高可达2.4GB/s、1.7GB/s，随机读写则可达300K IOPS、250K IOPS。

慧荣 2017-09-22
SM2263XT SSD控制芯片
SM2263XT SSD控制芯片

四通道，采用DRAMless的设计，支持主机内存缓冲(HMB)功能，利用主机DRAM提高性能。

慧荣 2017-09-22
SM2262EN SSD控制芯片
SM2262EN SSD控制芯片

PCIe Gen3 x4接口，八通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术。

慧荣 2017-08-10
SM2263EN SSD控制芯片
SM2263EN SSD控制芯片

PCIe Gen3 x4接口，四通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术。

慧荣 2017-08-10
YS9081XT SSD控制芯片
YS9081XT SSD控制芯片

支持主流厂商的1x/1y/1z nm 2D NAND和3D MLC/TLC/QLC NAND，支持SATA3.2协议。

得一微电子 2017-07-12
Phison eMMC 5.1系列
Phison eMMC 5.1系列

支持3D TLC NAND，符合eMMC 5.1规范，功耗大幅下降50%且随机读写较上一代2D NAND eMMC提升两倍。

群联 2017-06-01
YS2283 SD控制芯片
YS2283 SD控制芯片

提供标准的SDK供二次开发使用，为特殊领域的数据安全保障提供解决方案。

得一微电子 2017-05-20
Marvell 88SS1092 SSD控制芯片
Marvell 88SS1092 SSD控制芯片

采用28nm工艺，最大支持8TB容量的SSD，支持15nm SLC/MLC/TLC，以及三星、东芝、美光、SK海力士等积极推进的

美满 2017-04-05
SMI UFS2.1主控
SMI UFS2.1主控

慧荣UFS2.1主控支持3D MLC与TLC NAND，SM2750和SM2752的理论带宽分别达5.8Gbps和11.6Gbps。

慧荣 2017-03-07
点序AS2703EN SD控制器
点序AS2703EN SD控制器

采用UMC制程，符合SD1.01, SD1.10, SD2.02及SD3.01规范，支持各式2D及3D SLC、MLC与TLC NAND。

点序科技 2017-02-16
Phison PS5008系列SSD控制芯片
Phison PS5008系列SSD控制芯片

PS5008系列SSD主控支持PCIe Gen3.0x2接口和NVMe协议，支持1z nm MLC/TLC NAND和3D NAND Flash。

群联 2017-01-16
点序AS2726 eMMC控制器
点序AS2726 eMMC控制器

采用UMC制程，可支持SLC、MLC与TLC NAND Flash，支持eMMC4.5、eMMC5.01及eMMC5.1规格。

点序科技 2017-01-02
Phison UFS 2.1主控
Phison UFS 2.1主控

基于PCIe CoXProcessor架构，延迟更低、随机读写性能更好，可搭配2D/3D TLC NAND闪存，最大容量256GB。

群联 2016-12-16
点序AS2258 SSD控制器
点序AS2258 SSD控制器

支持2D及3D的SLC、MLC与TLC闪存，兼容SATA 3.2修订版，最高支持16颗8bit数据总线闪存。

点序科技 2016-11-01
StorArt SA3625 eMMC控制器
StorArt SA3625 eMMC控制器

采用eMMC5.1接口，支持 2D/3D MLC/TLC，最大支持容量256GB。

衡宇芯 2016-11-01

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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