Toshiba SD UHS-I Class10系列
Toshiba SD UHS-I Class10系列

速度等级为Class 10，容量从8GB-64GB，读取速度每秒40MB/s，可满足全高清视频浏览和应用程序运行。

铠侠 2015-01-08
Kingston Micro SD UHS-1 U3
Kingston Micro SD UHS-1 U3

提供16GB-64GB容量，UHS速度等级UHS-I Speed Class 3 ，90MB/秒的读取速度和和80MB/秒的写入速度。

金士顿 2015-01-06
innodisk EDC 1ME Horizontal
innodisk EDC 1ME Horizontal

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~256GB容量选择，顺序读写最大110/75MB/秒。

宜鼎国际 2014-11-13
innodisk EDC 1ME Vertical
innodisk EDC 1ME Vertical

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~128GB容量选择，顺序读写最大110/75MB/秒。

宜鼎国际 2014-11-04
SDHC/SDXC UHS-I U3系列
SDHC/SDXC UHS-I U3系列

128-512GB容量选择，UHS-I规范U3的传输，读取速度高达95MB/s；写入速度90MB/s，为捕捉4K超高清拍摄而设计。

闪迪 2014-09-23
EXCERIA UHS-I SDHC卡
EXCERIA UHS-I SDHC卡

在16GB~64GB基础上新增128GB容量，最高读写速分别为95MB/S和60MB/S，可满足4K高清视频的录制和回放。

铠侠 2014-09-05
超极速MicroSD UHS-I U3系列
超极速MicroSD UHS-I U3系列

有16GB-64GB容量选择，其读取速度高达95MB/s；写入速度高达90MB/s，将移动设备的性能提升到新的高度。

闪迪 2014-08-13
Micro SD EXCERIA UHS-I U3
Micro SD EXCERIA UHS-I U3

最高读写速度分别为95MB/s、60MB/s，容量从16GB-64GB，满足4K高速存取效能。

铠侠 2014-07-29
Kingston Micro SD UHS-1 U1
Kingston Micro SD UHS-1 U1

提供16GB, 32GB, 64GB容量，UHS速度等级为UHS-I Speed Class 1 ，90MB/秒的读取速度和和45MB/秒的写入速度

金士顿 2014-07-15
Adata SD UHS-I U3 XPG系列
Adata SD UHS-I U3 XPG系列

提供64GB、128GB高容量存储，最高读写速度分别达95/85 (MB/s)，为专业的录像摄影爱好者准备。

威刚 2014-04-30
LD Smart Card Class 6系列
LD Smart Card Class 6系列

存储容量从2GB到64GB，USH-I Grade1 最高读速度达到80MB/s。

和诺 2014-04-09
LD Smart Card Class10系列
LD Smart Card Class10系列

16GB-64GB速度等级为Class 10，USH-I Grade1 最高读速度达到80MB/s。

和诺 2014-04-09
Samsung EVO Micro SD系列
Samsung EVO Micro SD系列

存储容量从4GB-64GB不等，根据不同客户的存储需求，速度等级从Class 6-10，最高读取速度达90MB/s。

三星 2014-03-28
Samsung EVO SD系列
Samsung EVO SD系列

存储容量从4GB-64GB不等，根据不同客户的存储需求，速度等级从Class 6-10，最高读取速度达90MB/s。

三星 2014-03-20
Transcend SD UHS-I U3系列
Transcend SD UHS-I U3系列

支持新一代U3传输规格，保证最低30MB/s的写入速度，让摄影师无后顾之忧地录制Full HD、3D及4K影片。

创见 2014-03-20

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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