至尊高速MicroSD UHS-I 系列
至尊高速MicroSD UHS-I 系列

有200GB和256GB两个容量，速度高达95MB/s，是平板电脑和智能手机的理想存储选择。

闪迪 2016-06-29
金士顿MicroSD UHS-I U3系列
金士顿MicroSD UHS-I U3系列

金士顿microSD UHS-I U3具有惊人性能，最高90MB/秒读取速度和45MB/秒写入速度，存储容量从16GB到64GB不等。

金士顿 2016-05-15
Samsung Micro SD EVO+系列
Samsung Micro SD EVO+系列

容量为64GB~256GB，是一款UHS-1, Class 10, (U1~U3)级别的存储卡，读速高达95MB/s，写速高达90MB/s。

三星 2016-05-09
XL+工业级SD卡
XL+工业级SD卡

XL+工业级SD卡采用SD 3.01接口，提供4GB-128GB多种容量选择。

世迈科技 2016-04-13
超极速MicroSD UHS-II U3系列
超极速MicroSD UHS-II U3系列

有64GB和128GB两个容量，其读取速度高达275MB/s；写入速度高达100MB/s，适用于运动相机和无人机等高端终端

闪迪 2016-02-24
Transcend SD UHS-II U3系列
Transcend SD UHS-II U3系列

提供32/64GB，读写最高分别达285MB/s和180MB/s，适于单反相机与摄像机拍摄高画质4K,2K及Full HD视频。

创见 2015-09-09
Samsung SD EVO+系列
Samsung SD EVO+系列

提供32GB-128GB容量，符合高速UHS-I协议标准，UHS-I Grade 1和class 10传输速度，捕捉精彩画面和清晰录制。

三星 2015-06-09
Samsung Micro SD Pro+系列
Samsung Micro SD Pro+系列

提供32GB-128GB容量，符合高速UHS-I协议标准，UHS-I Grade 3和class 10传输速度，是录制超高清4K视频的选择

三星 2015-06-09
Samsung SD Pro系列
Samsung SD Pro系列

提供16GB-64GB，传输读写速度分别高达每秒90MB/s、80MB/s，适用于笔记本、相机等产品存储。

三星 2015-05-06
Samsung Micro SD Pro系列
Samsung Micro SD Pro系列

提供16GB-64GB，传输读写速度分别高达每秒90MB/s、80MB/s，适用于智能手机、平板等存储。

三星 2015-05-06
创见Micro SD UHS-I U3系列
创见Micro SD UHS-I U3系列

32GB和64GB容量选择，UHS-I规范U3的传输速度最高可达95MB/s，快速捕捉4K及3D超高画质影片。

创见 2015-04-10
Toshiba EXCERIA UHS-I系列
Toshiba EXCERIA UHS-I系列

提供16GB和32Gb容量，UHS-I接口标准，Class 10速度等级，最大读取速度48MB/s。

铠侠 2015-03-17
耐用性Class 10 MicroSD系列
耐用性Class 10 MicroSD系列

提供32GB和64GB容量，64GB最多可记录1万小时视频，32GB最多可记录5000小时视频。

闪迪 2015-03-02
innodisk EDC 1SE Horizontal
innodisk EDC 1SE Horizontal

采用SLC NAND，PATA接口，提供512MB~8GB容量选择，顺序读写最大40/28MB/秒。

宜鼎国际 2015-02-26
innodisk EDC 1SE Vertical
innodisk EDC 1SE Vertical

采用SLC NAND，PATA接口，提供512MB~4GB容量选择，顺序读写最大40/28MB/秒。

宜鼎国际 2015-02-26

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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