三星(Samsung) 厂商主页

三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

三星存储产品

三星970系列SSD
三星970系列SSD

M.2接口，支持NVMe协议，三星Phoenix主控，顺序读写最高可达3,500/2,700 MB/s。

三星 2018-04-24
三星PM883系列SSD
三星PM883系列SSD

采用SATA 6Gbps接口，搭载64层3D TLC NAND技术和专有的新控制芯片以及LPDDR4 DRAM缓存。

三星 2018-03-21
Samsung 3D TLC ADGS0F
Samsung 3D TLC ADGS0F

Samsung 3D TLC ADGS0F采用15nm工艺，提供16GB容量选择。

三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ABGU0E
Samsung 3D TLC ABGU0E

Samsung 3D TLC ABGU0E采用16nm工艺，提供4GB容量选择。

三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ACGU0D
Samsung 3D TLC ACGU0D

Samsung 3D TLC ACGU0D采用16nm工艺，提供8GB-32GB多种容量选择。

三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGU0M
Samsung 3D TLC ADGU0M

Samsung 3D TLC ADGU0M采用19nm工艺，提供16GB-64GB多种容量选择。

三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ACGU0B
Samsung 3D TLC ACGU0B

Samsung 3D TLC ACGU0B采用19nm工艺，提供8GB-16GB多种容量选择。

三星 2018-03-14
三星PM1725a系列NVME SSD
三星PM1725a系列NVME SSD

采用三星48层TLC V-NAND，有2.5 inch和HHHL两种规格形态，2.5 inch走PCIe Gen3 x 4通道，HHHL形态走PCIe Ge

三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC AFGH0A
Samsung 3D TLC AFGH0A

Samsung 3D TLC AFGH0A采用LDPC纠错，提供32GB容量选择。

三星 2018-03-14
三星企业级PM1643系列SSD
三星企业级PM1643系列SSD

采用三星最新64层TLC V-NAND，搭配三星SAS3.0控制器，SAS 12Gbps接口，2.5 inch规格形态。

三星 2018-02-14
三星860系列V-NAND SSD
三星860系列V-NAND SSD

采用最新512Gb 和256Gb 64层V-NAND，最高4GB LPDDR4缓存以及新的MJX控制器。

三星 2018-01-24
三星PM983系列SSD
三星PM983系列SSD

采用Phoenix主控，PCIe Gen 3 x4接口，4TB、8TB、16TB三种容量选择。

三星 2017-11-23
三星SZ985系列Z-SSD
三星SZ985系列Z-SSD

HHHL规格形态，PCIe Gen3 x4接口速度，800GB和1TB两种容量选择，适用于服务器领域。

三星 2017-11-20
三星PM981系列SSD
三星PM981系列SSD

采用Phoenix主控，搭配64层堆叠3D V-NAND，512GB和1TB两种容量选择。

三星 2017-10-25
三星T5系列便携式SSD
三星T5系列便携式SSD

采用64层V-NAND颗粒，USB Type-C接口，支持USB 3.1 Gen.2 10Gbps，传输速度540MB/s。

三星 2017-08-16

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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