Micron M500系列
Micron M500系列

M500采用20nm的MLC NAND和Marvell 88SS9187主控芯片，不仅具有强大的性能而且容量最高达960GB。

美光 2013-08-06
广颖电通Slim S50系列
广颖电通Slim S50系列

Slim S50系列最高读写450MB/秒、330MB/秒，存储32GB-256GB，面向要求一般的用户使用，厚度为7mm。

广颖电通 2013-08-06
安全加密U盘620系列
安全加密U盘620系列

采用USB 2.0接口，有4GB-64GB的存储容量选择，具有密码加密功能，和轻薄流线外型。

创见 2013-08-05
Sandisk X210系列
Sandisk X210系列

基于19nm NAND Flash，容量高达512GB,连续读写性能高达505/470MB/秒,具有响应快速、高效节能的优点。

闪迪 2013-08-05
PNY迷你虎克盘2.0系列
PNY迷你虎克盘2.0系列

PNY迷你虎克盘系列提供了USB2.0规范设计，满足客户的一般传输要求，最高读取速度大32MB/s。

必恩威 2013-08-02
Transcend SD Class 10系列
Transcend SD Class 10系列

提供每秒10MB以上的资料传输率，展现优异的传输速度，而且最高有128GB的超大容量，业界少见。

创见 2013-08-01
TransMemory-MX USB 3.0系列
TransMemory-MX USB 3.0系列

采用USB 3.0接口，64GB的大存储容量，速闪最大读取速度为70MB/秒，睿闪最大读取速度为130MB/秒。

铠侠 2013-07-31
广颖电通Velox V55系列
广颖电通Velox V55系列

Velox V55系列最高读写速度均在500MB/秒以上，存储容量从32GB-480GB，是小资玩家首选的升级方案。

广颖电通 2013-07-31
运动风抗震V70系列
运动风抗震V70系列

采用USB 2.0接口，容量从2GB到32GB选择，贴心的不掉盖设计，以及防滑条设计，同样具备生活防水功能。

创见 2013-07-31
Samsung eMMC 4.5系列
Samsung eMMC 4.5系列

容量从16GB-128GB，采用自家的控制芯片和NAND Flash，符合eMMC 4.5规范，适用于智能型手机和平板电脑等。

三星 2013-07-31
Transcend SSD720系列
Transcend SSD720系列

720系列采用SATA III接口，Sandisk MLC NAND Flash和SandForce控制芯片，读写速度均在500MB/秒以上。

创见 2013-07-31
Micron C400v系列
Micron C400v系列

C400 V系列面向低端市场，容量仅为64GB，最高读取500MB/s，写入速度只有95MB/s。其他与C400系列无异。

美光 2013-07-30
SSK锐界极速系列
SSK锐界极速系列

采用USB 3.0接口，USB 3.0接口下，写入速度79MB/S，读取速度高达108MB/S，存储容量为16GB和32GB。

大乘 2013-07-30
PNY金虎克2.0系列
PNY金虎克2.0系列

PNY金虎克2.0提供了USB2.0规范设计，满足客户的一般传输要求，最高读取速度大32MB/s。

必恩威 2013-07-29
Micron C400 SED系列
Micron C400 SED系列

C400 SED系列是C400的加密版，基于硬件的AES-256位加密引擎进行加密，具有C400系列的特性。

美光 2013-07-29

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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