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  • 2026-03-25 23:26

SK海力士最新消息

SK海力士紧跟市场趋势,不断深耕LPDDR的研发。继去年成功量产业界最高容量的18GB LPDDR5后,今年再次成功研发出业界最快的LPDDR5X(4266MHZ/8.5Gbps)。

SK海力士1ynm、1anm 16Gb DDR5 和 1anm 24Gb DDR5 DRAM 在第 4 代 AMD EPYC 处理器上支持 4800Mbps,比DDR4 产品提供高达 50% 的内存带宽。

由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。

SK海力士称,“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复,本公司澄清并未研究过与此相关的具体计划。

SK海力士预测,供过于求的情况仍将持续一段时间。因此,公司决定将明年的投资规模从今年预计的15万亿韩元至20万亿韩元减少到50%以上的标准。

SK海力士在业界首次配备CKD,已将样品提供给PC SoC(System on Chip)公司的客户进行系统评估。

美国时间10月18日,SK海力士在美国圣何塞召开的OCP(Open Compute Project)全球峰会上同时公开CMS及应用该方案的软件平台,进而证明了面向下一代高性能计算机解决方案及客户观点的价值。

SK海力士于10月12日通过声明表示,公司完成与美国商务部进行协商,确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。

最近,由于世界经济萧条和供应链不稳定,存储器半导体的需求正在急剧减少。但是,由于存储器半导体市况变动周期呈缩短趋势,专家们预测,市况将从2024年开始逐渐恢复,并于2025年开始回升。

238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时,实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度,借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片,因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。

SK海力士宣布已开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL(Compute Express Link)内存样品,加强其在下一代内存解决方案市场的影响力。样品的外形尺寸为EDSFF (Enterprise & Data Center Standard Form Factor) E3.S,支持PCIe 5.0 x8 Lane,使用 DDR5 标准 DRAM,并配备 CXL 控制器。

SK海力士表示:“第二季度虽然DRAM产品价格有所下降,但NAND价格反而上涨,公司的整体销量增加带动了营收的增长。并且,美元持续走强以及子公司Solidigm业绩的合并也成为了有利因素。”

据业界评估,此次组织改编的目的是在全球经济放缓和半导体市场随之恶化的担忧中,先发制人地应对即将到来的危机,旨在通过快速合并 SK 海力士和 Solidigm 的业务和开发能力来快速应对经济变化。

SK海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款 HBM3 DRAM,时隔七个月即宣布开始量产,这有望进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位。

根据SK集团社会价值计算公式,SK海力士2021年创造的社会价值较2020年的4.8887万亿韩元增长了93%,占SK集团2021年创造的社会价值总额18.4000万亿韩元的一半以上。

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