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  • 2026-03-17 14:35

SK海力士最新消息

此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B,它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备(NA 0.33)相比,其光学性能(NA 0.55)提升了40%,这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案,并将集成度提升2.9倍。

散热性能的提升有助于改善智能手机整机性能,同时通过降低功耗,可延长电池续航时间并提高产品寿命。SK海力士期待该产品能够引发移动设备行业的高度关注和强劲需求。

SK海力士为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力,将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。

今年上半年,包括美国销售子公司在内的美国客户销售额达到27.8344万亿韩元(约合200.9亿美元),占总销售额(约33.9万亿韩元)的69.8%。

SK 海力士对未来 HBM 市场增长持乐观态度,部分原因在于客户可能会希望获得比 SK 海力士目前所能提供的更进一步的定制化服务,SK海力士有信心为客户提供具有竞争力的产品。

就NAND闪存业务领域,SK海力士将持续响应需求秉持谨慎的投资基调,实施以盈利为导向的运营策略,也将推进应对今后市场情况改善的产品开发。

SK海力士表示,新工厂的具体开工日期、投资额和用途尚未确定,计划在进行测试的同时再决定具体细节。

SK海力士将把4F² VG(垂直栅极)平台和3D DRAM技术应用于10纳米及以下工艺,并在结构、材料和组件方面进行创新。

SK海力士此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm,使其能够适配超薄智能手机。

SK海力士本季度的收入和营业利润是在继前一季度创下历史最高业绩后,达到了第二高的业绩水平。营业利润率环比改善了1个百分点,增至42%,并以连续八个季度呈现出稳健上升趋势。

继96GB产品验证,SK海力士正在与其他客户开展128GB产品的验证流程。该产品搭载第五代10纳米级(1b)32Gb(千兆位)DDR5 DRAM,具备优越的性能功耗比。

对于SK海力士中国工厂的运营,郭鲁正表示,中国不仅是SK海力士的主要生产基地,也是响应全球客户的重要地区。SK海力士将继续在美国政府监管范围内运营,同时考虑客户需求和盈利能力。

SK海力士通过在该产品上采用已在前一代产品获得竞争力认可的Advanced MR-MUF工艺,实现了现有12层HBM可达到的最大36GB容量。

SK海力士将展示包括HBM在内的AI数据中心、端侧(On-Device)*、汽车(Automotive)领域的存储器解决方案等引领AI时代的多款存储器产品。

SK海力士强调:“随着AI时代的到来,公司在面向AI的存储器领域取得了巨大成果,同时为了成为AI产业的核心企业迎来了大转换期。 CIS事业部拥有的技术和经验是公司在增强面向AI的存储器竞争力所必需的,为聚集全公司的力量做出了此次决定。”

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