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据韩媒报道，传SK海力士近期对荷兰设备生产商ASML下单1台DRAM量产用EUV设备，预定投入2020年下半新完工的利川M16工厂中EUV专用产线。目前SK海力士已有至少2台研发用EUV设备。
SK Hynix宣布采用第三代10nm级（1znm）工艺开发出16Gbit DDR4。与第二代（1ynm）产品相比，生产率提高了约27%。
自7月初日本宣布对出口韩国的三种半导体产业所用的原材料实施出口管制，并将韩国移出出口白名单以来，SK海力士等韩半导体企业面临原材料断供危机，但同时也坚定了韩国企业加强了半导体供应链本土化推动的决心。
近日，SK海力士宣布将在零售市场投放SuperCore 系列的固态硬盘，其中率先入场的是一款2.5英寸SATA接口产品：GOLD S31。
SK海力士官网宣布研发出业内最高带宽产品HBM2E DRAM。相较于上一代HBM2产品，新一代HBM2E带宽增长接近50%，额外容量将近翻倍。
SK海力士宣布其DRAM和企业级SSD（eSSD）解决方案，包括最新的1Ynm 8Gb DDR4 DRAM，已经经过AMD EPYC 7002处理器全面测试和验证。
日前，SK海力士公布3D NAND技术路线图，此技术路线图展示在2030年3D NAND将达到800多层的堆叠高度。此外，西部数据128层产品明年面世。
由于存储市场今年需求复苏低于预期，跌价幅度却大于预期，导致各大存储原厂2019年营收纷纷下滑，甚至出现利润腰斩，SK海力士日前也表示愿意减少资本支出，收紧管理模式。
根据Etnew消息，SK集团的附属公司SK Materials一直在准备生产氟化氢，SK Materials相关人士表示，目前我们正在开发相关的生产设施，目标是在今年年底提供样品。
SK海力士公布截至2019年6月30日的2019年第二季度财务业绩数据，该季度营收为6.45兆韩元（约54.7亿美元），环比下滑5%，同比下滑38%；营业利润为6376亿韩元（约5.4亿美元），环比下滑53%，同比下滑89%；净利润5370亿韩元（约4.6亿美元），环比下滑51%，同比下滑88%，营业利润率为10%，净利润率为8%。
SK海力士重庆芯片封装项目（即二期工程）正进行生产设备的搬入，设备搬入调试完成后，预计将在9月前后陆续投产。一期工程和二期工程合并产能将是现有产能的2.5倍。
近日，SK海力士宣布与全球30家合作伙伴公司建立生态联盟，共同解决半导体行业的环境问题，帮助建立环境友好型半导体生态系统。
SK海力士重磅推出128层1Tb 4D NAND，将推动1Tb规模化量产，Bit产出量也将进一步增加，再加上贸易争端等不利需求的因素影响，NAND Flash跌价的行情或将延续到2020年，市场涨价的“梦”彻底碎了。
SK海力士推出新型低功耗企业级NVMe SSD（eSSD），采用72层3D TLC 以及自研NVMe控制器，计划2019年下半年开始量产。
传SK海力士采用喷雾式EMI屏蔽封装的NAND Flash样品已经完成，并已送样手机厂商进行验证。据了解，目前其他存储大厂也在研发喷雾式屏蔽封装，力求能缩小芯片体积，但目前仅SK海力士进入实际生产。
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