V10 是三星最新的 3D NAND 闪存,专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。基于三星的3D Bonded-VNAND架构,V10拥有超过400条字线(WL)。实现超过400层的关键在于“三层堆叠高纵横比(HARC)合并”技术。这种方法并非一次性堆叠超过400层单元,而是将它们分成三个堆叠部分,分别创建每个部分,然后垂直连接起来。相比上一代产品V9,V10的位密度提升超过58%,数据I/O速度超过4.8Gbps,性能提升超过33%,同时功耗降低超过25%。三星电子计划将V10用于支持容量高达128 TB的超高容量SSD以及下一代 PCIe 7.0 SSD。