长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破

存储器 2026-09-20 11:58

长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台(简称“G5平台”)实现量产,同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点,是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。

G5平台在关键工艺维度上依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米,接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料,存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅(HKMG)工艺,成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

简讯快报

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