美光日前表示,目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能,预期能在2025自然年达到约同于美光DRAM市占率的相同水准,也就是约为20-25%。
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SK海力士未来战略副总裁柳秉勋表示,“考虑到AI数据中心的建设速度,我们需要谨慎增加投资。”此前,存储厂商过度扩张产能,导致去年半导体市场低迷期间盈利能力大幅下降。SK海力士将保持保守的投资方式,以确保盈利能力。
江波龙台湾子公司元信电子(Mnemonic Electronic Co., Ltd.) 以“迎接高容量SSD时代来临”为主题,展示了业界领先的Mnemonic MS90 8TB SATA SSD、FORESEE ORCA 4836 系列企业级 NVMe SSD、FORESEE XP2300 PCIe Gen4 SSD等多款高容量SSD,以及包括嵌入式存储、内存条、存储卡等丰富产品线。
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由于AI服务器产品需求高于预期,因此目前2024年第2季的能见度将有望优于先前预期。
美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布其下一代GDDR7图形内存开始样品阶段,该产品采用业界最高位密度,并利用1β(1-beta)DRAM技术和创新架构,提供32 Gb/s的高性能内存,同时优化了功耗设计。GDDR7内存提供超过1.5 TB/s的系统带宽,比GDDR6带宽提升高达60%,并具备四个独立通道以优化工作负载,实现更快响应时间、更流畅的游戏体验和缩短处理时间。
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KIOXIA EXCERIA带散热器 SSD 系列配备新一代 PCIe 4.0 接口,顺序读取性能高达 6200 MB/s,新游戏下载速度更快,顺序写入性能高达 4900 MB/s*。(*1024GB 和 2048GB)
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其中包括Pascari品牌高性能X系列、启动驱动器B系列、数据中心D系列、SATA S系列和用于AI模型微调的AI系列,以及Pascari Enterprise SSD 浸入式冷却环境解决方案X200 和 D200 SSD。
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2024年预计主要有两个集成电路类别将推动今年的成长,增幅达到两位数:逻辑成长10.7%,存储成长76.8%。相反,分立元件、光电子元件、感测器和类比半导体等其他类别预计将出现个位数下降。
英特尔在声明表示:「上述公告凸显出英特尔在转型策略方面的进展。公司继续创造财务灵活性,并加速策略推动,包含投资全球制造业务,同时保持强韧的资产负债表。」
联发科拥有领先的SoC整合设计能力,能提供差异化解决方案,通过优化已经验证过的Arm CPU子系统加速产品上市时间,并可针对特定应用领域的复杂AI运算要求以及客户的运算子系统提供最佳的解决方案。
CXL是一种下一代接口,可以高效连接各种设备,例如 CPU、GPU、内存和存储,具有高度的灵活性。CMM-D 可以满足行业对大容量内存解决方案日益增长的需求,并开启 CXL 接口商业应用的新篇章。
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此前有消息称,三星HBM因发热及功耗问题,未通过英伟达品质测试。对此,黄仁勋表示此传言并非事实,否认三星HBM品质测试不合格的传闻。
据鸿海规划,高雄先进算力总计64柜GB200 NV72 ,共4608 颗GPU 的算力,预计2026 年完工。未来算力除了自用外,也会以租赁给供应链合作伙伴使用。
新的High-NA EUV能生产新一代更小、效能更快的芯片。ASML称,预计客户将在2025-2026年开始使用这款新设备进行商业生产。
低温蚀刻可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。