据韩媒ZDNET报道，SK海力士已开始为龙仁半导体集群首座晶圆厂Y1订购先进DRAM制造设备。初步商议的初期投产规模为每月2万片，生产目标为1c DRAM。Y1首个洁净室（ph1）原计划于明年5月启动，现已提前至明年2月开始构建试产生产线，并随后在3月至4月左右开始全面安装设备，以将产能提升至每月2万片。业内人士透露，SK海力士将于今年下半年开始Y1 ph2及ph3的洁净室建设。据悉，龙仁大型半导体集群包括4个晶圆厂，建设总投资达600万亿韩元，原计划2045年完工的第四座晶圆厂已将目标提前至2033年。
据韩媒报道，特斯拉-三星AI5芯片已完成流片。该项目的设计已经最终定稿，产品将在位于德克萨斯州泰勒市的工厂采用先进的2纳米（nm）工艺进行生产。此次确认的生产工艺是三星独家版本，与特斯拉CEO埃隆·马斯克4月份宣布的设计流片方案不同。据悉，泰勒工厂将于2026年底开始初步运营，并于2027年开始全面出货；AI5的工程样机将于2026年底发布，量产计划于2027年开始。
当前全球AI算力需求持续激增，叠加存储芯片产能扩张周期较长，行业长期供给受限，头部存储供应商议价能力显著提升，DRAM、NAND、HBM等核心存储产品的长期供货协议已成为科技巨头的主流采购模式。
针对市场近期的疑虑，英伟达管理层正面回应了外界关于ASIC竞争加剧、Rubin产品可能推迟以及AI算力需求是否见顶的三大质疑，并描绘了AI算力需求正从传统云巨头向主权AI、工业AI等新领域持续扩张的图景。
据韩媒The Bell报道，SK海力士已于上月底开始向英伟达出货12层HBM4的量产产品，并进入了“ ramp-up”（扩大量产规模）阶段。这是HBM4首次以完成所有质量认证的最终规格，供应给英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”。此前供应的货量均被归类为样品。据悉，SK海力士在量产出货的时间节点上，也已完成了与英伟达就明年HBM4价格的谈判。SK海力士预计从下半年起逐步增加HBM4的货量，预计在第四季度，HBM4在其整体HBM销售占比中将超越HBM3E。
据韩国业界7月12日消息，三星电子正着手推进其龙仁半导体集群的建设提速计划，拟将园区内首座晶圆厂的投产目标提前至2029年。相较于此前市场普遍预期的2030至2031年，这一投产节点提前了1至2年。
在4月中旬的法说会上，联发科曾预估第二季度营收将环比持平或下滑6%，主要基于智能手机客户短期内对需求仍保持谨慎的考量。然而，实际营收不仅实现了正增长，还超越了此前给出的财测高标（1402亿至1492亿元区间），显示出智能手机芯片的出货动能优于市场预期。
南亚科技透露，2026年上半年，应用于AI基础设施及AI服务器的产品营收占整体比重已突破20%。南亚科技将继续供应DDR5、LPDDR5、DDR4、LPDDR4、DDR3及LPDDR3等产品以满足多元市场需求，并积极拓展定制化AI内存及晶圆对晶圆（Wafer-to-Wafer）封装等高附加值产品。
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据韩媒报道，三星电子正在研发一款名为“GAIA”的AI芯片，旨在抢占AI PC及物理AI（如机器人）市场。目前，三星已向联想、惠普等全球主要PC制造商提供GAIA芯片的工程样片以验证其性能，并计划最早于明年年底实现量产。
据媒体报道，南亚科技在法说会指出，Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能，预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程，并新增产能约4.5万片。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%。此外，由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨，且大型长约客户换约存在时间差，预计三季度ASP仍有上修空间。
美光宣布，受AI时代对存储器需求激增的推动，公司将加快其在美国的晶圆厂和技术投资计划，预计到2035年将支出增加到2500亿美元以上。该投资计划旨在实现美国本土产能占其DRAM总产量的比例提升至40%。作为投资的一部分，美光计划投入高达30亿美元用于强化美国半导体供应链生态系统，包括向环球晶圆公司提供5亿美元的战略融资支持，并将与环球晶圆签订为期10年的供应协议获得硅晶圆产能保障。
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兆易创新Q1营收41.88亿，净利润14.61亿，由此可推算出其Q2营收预计为73.12亿，环比增长74.6%，净利润预计54.39亿，环比增长272%。
英特尔公布了一项名为XBM的新专利技术，该方案旨在替代HBM4，并提供更高的带宽能力。XBM全称扩展带宽内存，属于DRAM内存方案，其封装尺寸将与HBM4保持一致，每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间，搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。最核心的突破在于制造工艺的迁移：传统DRAM的存储单元制作于前段制程（FEOL），也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底；而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程（BEOL），布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域，并采用薄膜晶体管工艺。
在推进下一代高带宽内存（HBM）技术的过程中，三星电子与SK海力士正面临一项关键抉择——是否全面导入“混合键合（Hybrid Bonding）”技术。尽管该技术优势显著，但由于当前HBM对“减薄”和“散热”的迫切需求有所降低，两大巨头的推进步伐变得愈发谨慎。不过，业界普遍预计，随着未来HBM输入/输出（I/O）端子数量的爆发式增长，混合键合技术的引入仍将被提上日程，短期（HBM4/HBM4E 前期 12 层版本）仍依靠 TC 键合 + 独立散热方案过渡。
今年第二季度，群联电子营收达到678.88亿元新台币（约合144.06亿元人民币），环比增长65.71%，同比增长279.47%，创下连续五个季度营收新高的纪录。综合来看，2026年上半年，群联电子累计营收达到1088.55亿元新台币（约合231亿元人民币），同比激增243.08%，正式迈入“千亿营收”的新里程碑。
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