三星DRAM设计团队负责人Sangwook Han日前在Hot Chips 2026大会上确认,三星正准备交付单引脚速率高达16Gbps的HBM4E内存。
三星自今年5月底起已向客户交付单引脚速率14Gbps的HBM4E工程样品。在2048引脚配置下,14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s;当速率提升至16Gbps时,单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。考虑到每个AI加速器或GPU通常搭载十余个HBM堆栈,HBM4E的带宽升级将为下一代AI芯片提供极为可观的总内存带宽。
在堆叠配置方面,三星目前以12层(12-high)配置提供该内存,单堆叠容量为48GB。未来,客户还将提出8层32GB和16层64GB堆叠规格的需求。
在技术层面,三星采用专为DRAM优化的第六代10纳米级工艺,再通过多层堆叠构建产品。HBM4E还包含一颗基于三星4纳米SF4节点制造的定制基础裸片(Base Die),旨在满足客户在各类封装方案中实现更好集成的需求。

