长鑫存储LPDDR6落地小米玄戒O3处理器

高通宣​​布，计划设立一项新的长期投资计划，旨在加速日本机器人生态系统的创新。作为该计划的核心，高通将建立高通日本机器人中心，旨在与日本产业界、学术界和初创企业携手合作，助力日本在智能机器人时代占据领先地位。支持该计划的机构包括人工智能机器人协会、AMATAMA公司、APTO公司、发那科公司、Fixstars公司、富士通有限公司、KAWADA TECHNOLOGIES公司、川崎重工株式会社、KDDI公司、美蓓亚三美株式会社、NEC公司、NTT DOCOMO公司、松下电器产业株式会社、Preferred Networks公司、Robotics公司、索尼公司、丰田汽车公司以及其他领先机构。

小米日前发布玄戒O3，这是全球首款支持LPDDR6的旗舰处理器。据细，长鑫LPDD6将作为国产内存首发搭配玄戒O3，正式落地商用。长鑫LPDDR6单颗粒容量16Gb，芯片容量16GB，与SoC协同运行的基础速率为10667Mbps，最高速率可达12800Mbps，封装为1295 Ball的POP形式，在低功耗设计、RAS功能上较LPDDR5X产品有明显优化提升。

据外媒报道，戴尔渠道合作伙伴Advizex首席执行官CR Howdyshell近日透露，戴尔已实行30天报价承诺期，让客户有更多时间决定是否购买设备。

据外媒报道，美国政府正计划强制荷兰政府进一步收紧对华出口管制，拟禁止向中国销售几乎所有类型的芯片制造设备，其中涵盖深紫外（DUV）光刻机。在此之前，荷兰已在美国持续施压下，禁止对华出口最先进的极紫外（EUV）光刻设备，使得荷兰光刻机巨头ASML自2019年以来未向中国出货任何EUV系统，并限制部分先进DUV光刻机的销售。

大普微发布2026年半年度报告。报告显示，2026年上半年营收47.22亿元，同比增长531.17%；归属于上市公司股东的净利润为13.34亿元，上年同期亏损3.54亿元，实现扭亏为盈，同比增长477.08%；扣除非经常性损益后的净利润为13.31亿元，上年同期亏损3.61亿元，同比增长468.13%。按季度看，第二季度营收为34.13亿元，环比增长160.55%，归属于上市公司股东的净利润为9.64亿元，环比增长160.64%，扣除非经常性损益后的净利润为9.63亿元，环比增长161.93%。

据韩媒inews24报道，SK海力士工会就2026年工资和集体谈判协议的暂定协议进行的投票于25日上午9点结束，结果显示50.08%投了反对票，49.92%投了赞成票，关于绩效奖金支付方式的重新谈判已不可避免。鉴于工会成员对薪资补贴的支付方式而非工资增长率存在严重分歧，如何调整现金与库存股支付的比例将成为重新谈判的关键问题。

英伟达在官网宣布，交互式AI推理加速器NVIDIA Groq 3 LPX现已全面投入生产。NVIDIA Groq 3 LPX 通过大幅提升token生成速度，扩展了 Vera Rubin NVL72 的推理性能。据悉，Nebius是其首个客户，计划将 NVIDIA Groq 3 LPX 引入生产推理平台Nebius Token Factory，使开发人员能够以极快的token生成速度开发出响应迅速的代理式AI应用。

8月25日，日经225指数和韩国KOSPI指数开盘下跌。截至发稿，日经225指数跌0.96%、韩国综指跌超3%。存储概念个股方面，截至发稿，三星跌超2%，SK海力士跌超5%，铠侠跌超7%。

当地时间8月24日，美股三大股指涨跌不一。截至收盘，道琼斯工业平均指数报53417.16点，涨0.26%；纳斯达克指数报25980.19点，跌0.76%；标普500指数报7652.86点，跌0.28%。其中，大型科技股表现分化，亚马逊涨超1%，谷歌A、微软、谷歌C、苹果分别涨0.94%、0.84%、0.83%、0.32%，高通跌超1%，英伟达跌超2%，AMD跌超3%；存储板块普遍收跌，闪迪、希捷跌超6%，美光、西部数据跌超5%，SK海力士跌超4%。

据业界消息，小鹏集团旗下机器人业务已完成首轮超9亿美元融资，由IDG资本领投，高榕创投、腾讯、阿里巴巴等机构参投，小鹏集团则继续控股机器人业务。据了解，小鹏机器人业务投后估值超63亿美元（约合人民币430亿元）。

据韩媒报道，三星电子已敲定今明两年在中国国内最先进的NAND闪存改造投资计划。自今年上半年以来，三星电子一直在其位于西安的X2生产线上进行V9 NAND闪存的改造投资。三星电子的V9 NAND闪存是一款采用280个堆叠单元的先进产品，预计每月产能可达4万至5万片晶圆。据报道，三星电子正在敲定追加投资计划，以加强其晶圆厂的V9 NAND闪存产能。该计划的核心是引进额外的蚀刻工艺设备，而蚀刻工艺是NAND闪存制造的关键环节。据悉，三星电子决定从明年下半年开始追加投资，以确保V9 NAND闪存的稳定量产，相关设备的采购订单预计也将在今年年底左右落实。

据业界消息称，美国政府可能考虑允许苹果向长鑫存储及长江存储采购存储芯片，消息称苹果正测试长鑫科技的DRAM产品以及长江存储的NAND模组，显示两者进入苹果供应链的可能性正在升高。若后续进入供应链，预计主要用于在中国市场销售的苹果设备。

据韩媒报道，三星电子正在研发的智能手机应用处理器（AP）Exynos 2700，在内部测试中性能优于高通骁龙8 Elite第六代处理器，这提高了业界对Exynos 2700在三星下一代旗舰智能手机Galaxy S27中广泛应用的预期。

小米公司官宣国内首款3nm智驾高算力AI芯片玄戒D100，采用3nm先进工艺，20核高性能CPU与16核高算力NPU强劲组合，最高可支持160GB统一内存，可本地部署200B参数量超大模型。玄戒D100已经研发完成，明年正式商用。

据台媒报道，半导体硅晶圆市场正迎来三年多以来的首次大幅涨价。此次价格变动不仅影响 12 英寸 (300mm) 规格，8 英寸 (200mm) 和 6 英寸 (150mm) 也受到波及。报道称，部分半年谈判一次周期 12 英寸抛光硅晶圆合同已开始适用上涨约双位数百分比的新报价；8 英寸硅晶圆的 2027 年价格谈判也正按照上涨 10% 或以上推进；同样在进行的 6 英寸硅晶圆价格磋商预计涨幅在 10% 左右。

小米集团副总裁、芯片业务负责人朱丹公布玄戒O3芯片架构。小米玄戒O3采用3nm制程工艺、芯片面积133mm²，晶体管数量相比上一代增长26%至240亿。架构方面，其CPU采用6超大核、4大核的10核架构，最高频4.35GHz，相比上一代性能提升60%；GPU采用16核架构，性能提升85%。

据韩媒heraldcorp报道，SK海力士近日重申，其12层HBM4产品的量产工作正在正常进行，16层产品已进入认证阶段，此外，SK 海力士提出了一项计划，在现有的 MR-MUF方法之外应用混合键合技术，为未来 HBM 层数增加到 20 层或更多做好准备。

据外媒报道，美光公司 HBM 设计架构研究员 Raghu Sriramaneni近日在演讲中表示，人工智能的计算性能每两年大约提升三倍，但同期高带宽内存 (HBM) 的带宽增长却不到两倍。限制 AI 性能的‘内存墙’实际上可能会加剧。

根据Counterpoint Research最新发布研究报告，受零部件成本上涨、低价设备供应减少以及消费者购买力下降等因素抑制，全球智能手机市场预计将在2026年同比下降14.3%。全球智能手机市场预计在2027年仍将面临挑战，出货量预计将进一步下降1.4%，但2028年有望开始强劲复苏，出货量预计将增长约4.8%。分品牌看，基于三星广泛的地域布局、深厚的供应链以及更可靠的内存和半导体供应渠道，预计2026年其智能手机出货量将在整体市场下滑中逆势增长约0.8%，有望重返全球智能手机市场的领先地位；预计苹果将保持相对的韧性，但其品牌前景比三星更为谨慎，出货量预计将在2026年同比下降约2.1%，2027年有望恢复增长，增幅约为2.8%；预计华为2026年的出货量将增长约8%，2027年将进一步增长4.3%，主要得益于中国市场的强劲需求、国内零部件产能的提升以及海思处理器技术的持续进步。

据韩媒报道，尽管AI驱动的内存需求加剧了DRAM的供应短缺，但预计三星电子今年下半年的增产速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先考虑从10nm第五代（1b）工艺向10nm第六代（1c）工艺的过渡，更加注重提高良率而非扩大产量。据报道，自全永铉副会长上任以来，公司一直在重新审视所有产品的工艺和设计，并主动调整产能运营速度，从第五代DRAM开始，朝着提升良率稳定性的方向发展。