报道称,该工厂预计耗资 220 亿美元。但SK海力士表示,“我们目前正在考虑在美国进行可能的投资,但尚未做出最终决定。”
据外媒报道,由于市场需求问题和美国政府资金的延误,英特尔正在将其在俄亥俄州价值 200 亿美元的晶圆厂的建设时间表推迟至 2026 年末。
京瓷将今年度设备投资额(资本支出)目标自原先预估的1,700亿日圆下修至1,600亿日圆。此也为京瓷继去年11月之后、第2度下修资本支出。
日月光投控预计,今年资本支出规模较去年扩大40%至50%,其中65%比重用于封装、尤其是先进封装项目,目前6成多用在封装测试,3成在电子代工服务。
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佳能首先会将应用目标放在3D NAND工艺制造,而不是更加复杂的微处理器。另外,武石洋明强调,佳能的目的不是要抢走EUV的市占,而是相信,纳米压印技术与EUV乃至其他种类的技术能够并存。
据韩媒报道,SK海力士正在考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术,即将两片晶圆键合起来打造3D NAND产品。而三星电子正计划将混合键合应用于NAND V11和V12的量产。
展望今年,日月光投控表示,先进封测带来营收复苏,预期上半年库存调整结束,下半年成长加速,预期AI高阶先进封装收入翻倍,今年相关营收增加至少2.5亿美元。
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高通QCT事业细部数据显示,2024会计年度第1季手机芯片营收年增16%至66.87亿美元,这是智能手机市场在经历两年下滑后的正面信号。高通预计全球手机销量将与去年同期持平。
目前,就京东平台消息看,雷克沙512GB NM存储卡距离预售结束还剩2天,2月3日23:59定金预付截止,2月4日0:30开始付尾款,预售到手价399元。
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澜起科技近期投资者关系活动记录表显示,2023年第四季度,公司DDR5第二子代RCD芯片出货量较第三季度有所提升。预计2024年DDR5第二子代RCD芯片的需求将超过第一子代RCD芯片。
该产品采用BGA132封装,支持Toggle DDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,将有望应用于eMMC、SSD等产品上,比如雷克沙SSD。
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在1a和1b nm级DRAM产品中字线和位线应用的是金属钨,金属钼和钌的电阻率比钨更低,因此可以减少DRAM产品的线宽。
其中,半导体出口连续3个月增长。1月半导体出口增幅为56.2%,创下2017年12月之后6年来的最高纪录。
全新的UFS系列可提供128GB、256GB和512GB三款不同容量的产品,并支持宽温度范围,符合AEC(7)-Q100 Grade2要求,并针对复杂的车载应用增强了可靠性。
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群联推出的录像与监控系统专用SSD存储方案,不仅最高稳定效能达500MB/s、具备PLP断电数据保护机制、提供3年以上保修、最高存储容量达7.68TB、支持宽温等。
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