因DRAM报价上涨,加上外资报告翻多,沉寂已久的DRAM股又从“弃妇变爱妾”,南科(2408)、力晶(5346)、茂德(5387) 昨强奔涨停气势如虹。

美国司法部点名全球4大DRAM厂美光(Micron)、三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)和英飞凌(Infineon)连手操控价格的DRAM价格反垄断案,所幸台厂当时全球DRAM产业市占率仍相当低,因此未受到此案的波及。

整个台塑集团的DRAM事业来看,已进入现金正流入状态,下一步台系DRAM业者的目标是转亏为盈。

NAND Flash缺货至今未见纾解,至上两大客户创见及威刚抢货动作同样未见减少,加上大陆十一长假效应,已明显感受到下游客户对各项消费性电子产品用零组件需求增加,因此至上初步评估9月合并营收将有挑战2009年新高机会,至于获利情况,市场人士认为应可再较8月

SanDisk盈余可望在2009年下半年与2010-2011年期间稳健复苏。他并预期,2009-2010年期间NAND型快闪记忆体(NAND Flash)相关资本支出将偏低,预料将导致供应短缺并为SanDisk带来新商机。

由于DDR3测试时间较DD2长约10~20%,加上DDR3的pin脚数较多,所需金线亦多于DDR2,预期DDR3封测平均单价(ASP)约可较DDR2高出10~20%,因此,若DDR3出货比重有效提升,未来将对力成和华东毛利率表现有正面影响。

内存封测厂华东科技亦感受到订单持续增温,自8月营收以新台币4.91亿元创2009年单月新高后,该公司预期后续营收将可望一路走高到11月,单月金额应能站稳5亿元大关。

NAND Flash缺货潮正炙热上演,NAND Flash大厂也加紧脚步进行制程微缩,为2010年高容量内存需求的来临作足准备。

2010年NAND Flash产业主流预计会是30奈米,同时也逐渐往20奈米制程世代移动;而在终端应用方面,随着智慧型手机应用窜起后,预计手机应用在NAND Flash产业将是一枝独秀。

NAND晶片缺货情况甚至可能延续到2011年,这些晶片价格会因此调涨,NAND普遍应用于数位相机、手机等消费电子器材。

日本媒体日刊工业新闻18日报导,东芝(Toshiba)与合作伙伴SanDisk将于明(2010)年下半开始量产20奈米(nm)等级(30nm以下)的NAND型闪存(NAND Flash)。

国内创见、威刚和群联和上游NAND Flash颗粒厂都有合作关系,因此货源供给没有问题,加上目前手上库存水位仍可因应近期旺季需求,以目前NAND Flash和DRAM报价都呈现稳定上涨的状态,将有助如创见、威刚和群联等模组大厂的业绩成长。

近期DDR2供给其实相当吃紧,因为上游DRAM厂和下游内存模块厂都在9月初 伒判形势,当适量卖货,没想到9月初DDR2价格意外的看回不回,且因为供给减少、需求增加之故,导致价格大涨

三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)产能都被苹果包下来,另外内存模块龙头大厂金士顿(Kingston)则是包下英特尔70%的NAND Flash产能,双方成为长期合作伙伴,显示未来全球4大NAND

要NAND Flash供应商三星、东芝和美光(Micron),优先把货供应给智慧型手机与MP3PMP业者的条件下,无形中各记忆卡和随身碟业者可以拿到的NAND Flash货源相对减少。

简讯快报

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