近期三星对外表示,DDR3缺货状况即将纾解,三星自有的DDR3产能将大量产出,市场解读为DDR3价格将开始下滑。白培霖表示,第4季DDR3的产能会增加,但第4季很多个人计算机大厂也换大量转换至DDR3平台,这一次转DDR3平台,就不会再转回DDR2了,因此
因为DRAM厂的机器设备闲置太久后,突然再回来生产,其实运作不是很顺利,因此很多产能会递延产出,且此情况普遍发生于所有DRAM厂,并非特定的DRAM厂,也使得近期DDR2芯片开始出现短缺的情况。
尽管9月到10月是NAND Flash下游客户的传统旺季,但部分NAND Flash颗粒价格今年以来已大涨将近两倍以上,不利于第四季销售旺季进行促销活动。
eMMC技术打败其他类似概念的产品而胜出,预计2010年会逐渐普及于手机市场,记忆体大厂美光估计,全球2010年的eMMC市场会到15亿美元,预计到2011年会达到20亿美元水准。
美光工程总监表示,相当看好eMMC解决方案会在手机内建式记忆体市场中快速成长,美光的MCP业务预计也受惠eMMC趋势往上而逐渐成长,预计2013年上看8.35亿美元规模,目前eMMC解决方案已送往全球5大手机厂作认证,有信心2010年其中2~3家手机厂可进
9 月下旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,市场主流的16Gb MLC合约均价持续攀升,达4.6美元,上涨2.68%,创下1年多来新高价。
智能型手机带动内存市场前景迷人,不但消化NAND Flash产能数目相当可观,也带动eMMC解决方案趋势的起飞,成为固态硬盘(SSD)的前哨站。
512Mb PRAM 能在80毫秒内消除64KW(千字单位),速度比 NOR闪存要快上10倍;而在大小为 500万字节(MB)的数据段落中,PRAM消除及重写数据的速度,也要比NOR闪存快上 7倍。 三星这项第一款PRAM产品是
由于DRAM、NAND Flash近期均呈现价格大涨走势,模组厂只要掌握低价库存,就会有低价库存效益,值此之际,威刚认购劲永公司债与普通股颇有结盟的意味,是威刚签订长期供货合约之后,另一宗受到注目的认股案。
市场上都知道苹果(Apple)销售量出乎预期,苹果包下不少内存大厂NAND Flash产能的动作,是带动这波NAND Flash价格大涨的元凶,但权五铉记者会被问到相关问题时,绝口不题苹果的状况,更轻描淡写表示,苹果的iPod和iPhone和NAND Fl
三星未来会致力把PRAM市场拱大,鼓励系统厂导入PRAM技术,也会大量与下游系统厂合 A未来PRAM会取代NOR Flash市场。
针对DRAM价格不断起伏,权五铉则说,还是要回到市场供需面来看,现在价格只是回到合理水平, 韫芠ㄩ搣帠很好,但对于客户则是不好的消息,未来最好情况是价格稳定,内存价格不要急速大涨或大跌,这对整体产业都是不好的。
东芝(Toshiba)于21日宣布,自今年10月起将开始量产采用32nm制程之NAND型快闪记忆体(NAND Flash)的PC用固态硬碟(SSD)。
三星后段Micro SD卡封装的产能不足,近期已开始对台厂相关后段厂商释单,包括硅品(2325-TW)、华泰(2329 -TW)、典范(3372-TW)都将成三星释单主要受惠对象。
东京大学与日本产业技术综合研究所(产综研)合作开发出了配备有非易失性页面缓冲器的强电介质NAND闪存(Fe-NAND)。现行NAND闪存配备在面向数据中心的SSD上使用时,主要存在三个课题。此次开发的Fe-NAND解决了这些课题。该技术已在2009年6月举