Uni-chem将斥资5,000万美元买下南韩记忆体晶片大厂Hynix Semiconductor Inc.位于美国奥勒冈州犹吉尼市已停止运作的DRAM厂。Uni-chem计画利用该座厂房生产太阳能电池,以便开拓新事业。

DRAM报价再创新高,DDR2 1Gb 128Mx8 eTT颗粒现货均价已达1.94美元,台厂可望陆续进入现金净流入(cash in)。不过法人也指出,下半年台湾DRAM厂投片量大幅提升,已达近一年来新高,加以传统淡季即将来临,预期可能对10月中旬DRAM

2009年出现NAND Flash和DRAM双好行情,但时序进入个人计算机(PC)和消费性电子产品的传统淡季,对于NAND Flash和DRAM价格是否可以维持涨势,各界看法偏向保守,NAND Flash供货吃紧的情况预计会到11月,而DRAM价格是否可以

全球内存市场2009年出现许多出乎业者意料之外的情况,包括NAND Flash价格几乎终年不坠,且价格还屡创高点,而DDR2芯片在供给不足

NAND Flash现货价和合约价双双上涨,主要是苹果新产品卖相极佳,罕见在9月还持续大力向NAND Flash大厂拉货,加上手机大厂纷纷备货高容量的NAND Flash芯片,赶搭内建内存的商机,导致现货市场的NAND Flash供应量出现严重短缺,因此价

由于NAND Flash涨价挹注获利,至上内部自结8月税前盈余约4,000万元、单月每股税前盈余0.54元,目前至上7、8月合计税前盈余约8,100万元、已超过上半年获利总和(7,200万元)。

中国十一长假的销售及假期过后库存回补强度,及欧美市场对NAND Flash相关应用产品的旺季需求情况也乐观,预期NAND Flash价格短期内仍可望维持坚稳的格局。

东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值(MLC)NAND闪存的SSD(固态硬盘)。预定2009年10月开始面向个人电脑量产。该公司从09年7月开始量产32nm级NAND闪存。

Flash记忆体价格提高、储存型快闪记忆体(NAND Flash)合约价续涨,预期 9月营收将可望达到 29亿元到 31亿元,月增率 15–20%,预估今年和明年的每股盈余分别增加 10% 和 12%,维持创见表现优于大盘的评等,但目标价从 155元调降至

“2009年一定会有一些闪存或者DRAM厂商倒闭,产业链进一步整合是必然趋势,而剩下的闪存或DRAM厂商要想生存,就必需尽快寻找到自己的重生之道。”

9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小幅上涨约1%到3%,展望未来价格走势,需视中国十一长假销售情况,以及欧美市场耶诞旺季需求,才可判定供货偏紧情况是否持续。

Flash(快闪记忆体)价格直涨,记忆体控制IC大厂群联(8299)9月营收将续创单月历史新高,第三季营运可超越财测预估二成的成长,获利亦可望创下今年单季新高。

9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小涨1%到3%,展望未来价格走势,需视中国十一长假销售情况,以及欧美市场耶诞旺季需求,才可判定供货偏紧情况是否持续。

受NAND Flash及标准型DRAM供货吃紧影响,友尚、至上9月营收应有机会因价格调涨大幅增加,但三星电子供货不顺,友尚、至上9月营收大幅成长减缓。

9月下旬的NAND Flash合约价格则是续涨,16Gb、32Gb和64Gb容量的芯片上涨2~4%不等,现货价格更是每日缓步垫高。

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