瑞银(UBS)分析师Uche Orji 12日发表研究报告将记忆卡巨擘SanDisk的投资评等由「中立」调降至「卖出」,主因NAND型闪存(NAND Flash)价格攀高恐降低位销售量等因素影响

全球第 2 大的 NAND 制造商东芝 (Toshiba Corp.;6502-JP) 高层人士指出,数位记忆卡 (SD 卡) 的需求也正与日俱增。

今年来最大涨幅已高达2倍,营运见到转机而股价偏低的茂德(5387-TW)、力晶(5346-TW),近期均见大涨,茂德今(13)日登上涨停价2.05元。

记忆卡巨擘SanDisk公司旗下容量达64GB的(为市面上记忆卡容量的两倍),搭载高效能4位每单元(4个)快闪记忆体的记忆卡已开始出货

PC景气回春,据市集资料显示,DRAM报价自9月起持续上扬,至10月初DDR2 1GB记忆体颗粒现货收盘价正式突破2美元大关,12日盘中均价上升至2.43美元,超越DDR3 1GB均价2.32美元。

日前推出的保密随身碟解决方案,具有与Suite B密码编译技术相容和XTS-AES运作模式等先进加密技术,第1款产品会于第4季正式问世。

湾DRAM厂每年付新台币200多亿元的技术授权费用,只能赚取微薄之代工利润,产业技术扎根的理由仍未消失,所以,政府部门仍将继续推动DRAM产业再造方案。

力晶、华亚科和茂德在扩充产能猛踩油门,显见DRAM产业已走出谷底,下一个目标就是力拼转亏为盈,若第4季DDR2单价维持在2美元之上,力晶采用65奈米制程成本约1.7美元,足以达成获利,华亚科亦有机会单月转亏为盈。

DRAM厂专款专用模式 1Gb容量DDR2价格跨过2美元关卡后,再度创新高达2.5美元,台系DRAM厂不但早已开始有现金流入,并且积极增产以力拼营运转亏为盈。以各家DRAM厂状况而言,不管有钱或没钱,绝对都想办法卯足全力增产,力晶采用尔必达的65奈米

DRAM报价涨势持续,国际大厂股价走强,台湾DRAM股昨天也纷纷大涨,包括华亚科(3474)、力晶(5346)、茂德(5387)更攻上涨停作收,类股红光满面。

IC通路商弘忆股(3312)在瑞昱及NAND Flash等产品出货畅旺下,9月营收12.11亿,为今年新高。由于东芝10月将完成收购富士通HD部门,出货顺畅及NAND Flash 需求成长,单月营收可望维持在9月水准。

南韩记忆体制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布,将开始量产一款采54奈米制程技术的1GB DDR3 DRAM,其耗电量将节省30%,运算速度则较DDR2增加近1倍。

记忆体模组大厂威刚(3260)董事长陈立白表示近几年来公司积极在大陆扩产,也陆续在各区域市场设分公司,体质已经调整得差不多,看好明年如中国、中南美、俄罗斯等市场明年将会出现显著成长。

第三季以来,随电子产业需求出现明显回温,利基型记忆体族群力积(3553)、钰创(5351)、晶豪科(3006)业绩持续升温,9月营收分别为4.19亿元、7.12亿元以及4.86亿元,全数创下至少今年新高,力积更是创下历史新高。

DRAM涨势持续,最新现货报价达2.26美元,再创逾一年新高,超越台系DRAM厂现金成本价1.5美元甚多;使得厂商现金净流入持续,有利于改善财务状况。

简讯快报

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