记忆体价格回温,第四季DRAM厂可望由亏转盈,预期明年将步入好年冬,DRAM厂联测科技率先喊涨,不过,力成(6239)、泰林(5466)认为,每家营运状况不一,目前还没有调涨价格的计划。
DRAM产业常常出现母鸡带小鸡的情况,扶植旗下的子公司DRAM厂茁壮成长,也不乏青出于蓝的例子出现,瑞晶即是一例
台湾DRAM产业暌违4年,2010年即将出现第6家上柜挂牌的DRAM新兵,尔必达(Elpida)旗下瑞晶计划在2010年申请挂牌上柜
相关业者表示,看好2010年的需求,现阶段确实有增加投片数量的计画,以因应客户端日后需求。
DRAM现货价在急弹15%后小幅拉回整理,DRAM股同步拉回,茂德(5387)开高走低,南科(2408)、华亚科(3474)翻黑,力晶(5346)试图力守平盘。
内存封测厂联测科技受惠于主要客户南亚科技发展DDR3脚步较快,现今DDR3封测业务比重已达到80%。在客户对DDR3封测需求攀升下,该公司拟将扩充产能,估计2010年资本支出将由2009年新台币2亿~3亿元大幅增加到15亿元,增幅达4倍。
群联11月营收交出新台币26.66亿元好成绩,展望12月营运,董事长潘建成表示,年底部分通路商仍是有抛库存换现金的压力,因此预计12月底前的NAND Flash价格持续疲软,12月营收会反应淡季效应往下。
随着三星和海力士都扩增2010年资本支出,隐约释出对2010年DRAM和NAND Flash产业乐观看法,以2010年三星30亿美元资本支出为例,虽然还未回到2007、2008年逾40亿美元资本支出水平,但已较2009年大幅成长;目前三星单月12吋晶圆DR
DRAM产业第4季需求增温,带动封测厂第4季产能利用率亦处于满载的高档水平,加上相关材料如黄金、铜等价格上扬,连带地提高材料成本。
DRAM景气逐渐触底反弹,相关业者预估2010年第2季DRAM每颗报价有机会落在2.2~2.5美元,不仅DRAM业者在2010~2011年大幅获利,DRAM封测厂也有机会调涨代工价格,模块厂的获利能力则将由过去暴利回复到合理利润,预期2010年DRAM产业
记忆体产业逐渐由谷底复苏,半导体客户逐渐转换高阶制程,DRAM主流制程将由70奈米微缩到50奈米后,单片晶圆产出将增加80%。
2010年资本支出在DRAM和NAND Flash上也都大幅增加,反观美光和尔必达由于与台厂结盟日深,对台湾产能依赖程度加重,未来资本支出将着重于制程微缩上。
摩根大通(JP Morgan)证券副总裁廖光河指出,DRAM属景气循环产业,通常其发展趋势都有一定的惯性,在历经先前2年多来的产业秩序整理后,今年下半年开始又有露出曙光的迹象,由于从明年度供需面来看,DRAM可能还是会趋紧,因此该产业有机会成为浴火凤凰,在
尔必达因DRAM市况呈现回复,故预估今年度(2009年4月-2010年3月)该公司显示本业获利状况的营益将可望3年来首度转为盈余,纯益则预估将呈现损益两平(0日圆)。
看好2010年内存市场的前景,主要是上游各厂的资本投资不多,加上现在有钱也不一定买得到新制程机台设备,因此2010年DRAM和NAND Flash前景仍然乐观。