受惠于下游应用市场渐回温,利基型内存产品的需求也同步好转,预期此波力道将可持续至2010年,台系相关业者2010年的营收年成长态势可期。
当年SLC(Single-Level Cell) 技术转换至MLC(Multi-Level Cell)技术的惨痛教训仍历历在目,这次控制芯片业者都更加小心了!
十一月初DRAM价格创下波段高点,进行小波段的整理后,在年底库存调整近尾声与农历春节前的拉货即将展开下,DRAM与NAND Flash在美光交出亮丽财报后大涨带动下,再次发动攻势,且以美光联盟南科、华亚科、福懋科为攻击主轴。
市场预期,DRAM产业明年将步入供不应求的荣景,DRAM厂可望咸鱼翻生。不过,哪家业者有实力转换到更先进制程、DDR3产能增加,将是业界的胜出者。
DRAM产业明年受惠商用计算机换机潮的带动,以无新增产能等有利因素下,预估,未来两三年产业都会呈现稳定的成长,DRAM厂可保有获利状态。
力成科技(6239)受惠于大客户东芝、尔必达等,明年将大幅提升资本支出扩产,加上记忆体封测代工价格压力明显减少,不仅今年第4季营收持续成长再创新高,明年第1季营收也有机会与第4季相当。
年初一度岌岌可危的DRAM产业,随DRAM价格回稳,在全球大厂陆续转亏为盈下,台湾岛内厂商也将出现营运大幅成长。法人看好,未来两年DRAM产业可望维持稳健成长,带动后续行情。
台湾“经济部长”施颜祥今晚表示,若“立法院”院会通过“不支持DRAM产业再造方案”的决议,“经济部”会认真思考替代方案,但不能急就章,好在DRAM价格已回稳,有时间思考更成熟的作法。
台湾证交所统计,12月以来累计三大法人已买超逾573亿元,其中外资及陆资累积买超更超过654亿元。富兰克林华美投信第一富基金经理人谌言指出,外资曾在10、11月获利了结,最近短线已有回补股票的压力,有利支撑台股后市。
全球最大美国消费性电子展CES即将在明年1月7日到10日登场,晶片龙头厂英特尔将在展中推出新架构Nehalem、Westmere、以笔记电脑为主的Atom系列的处理器及晶片组,并全面支援DDR3,将推升DDR3成为明年度主流产品。
本季DRAM需求的表现较为持平,而Flash相关产品则难免受到报价下滑的影响,以第四季来看,营收获利最好的月份落于10月份,预估劲永本季合并营收季成长约25%,仍优于原本预期的15-20%的季成长率,明年则看好DRAM业务的成长。
12月24日消息,电脑内存芯片或将在明年下半年出现供应不足,因消费者需求升温,且公司将开始进行推迟了的电脑更新工作。
NAND Flash市场目前因年终假期交投仍清淡,市场买卖双方观望气氛浓厚,预期短期内NAND Flash市场仍将呈现盘整的格局。
受惠于DRAM报价走扬,DRAM模块厂不仅获利回升,明年也可望维持高档,昨天包括一线厂威刚(3260),二线厂的品安(8088)及商丞(8277)均以涨停作收,创见(2451)及劲永(6145)涨幅也在2%以上,而威刚突破90元大关,收92元,创下2007
美国DRAM大厂美光(Micron)由亏转盈,加上市场预估DRAM明年将出现缺货,全年获利可期,受利多消息激励,DRAM厂南科(2408)、华亚科 (3474)、华邦电(2344)昨天奔向涨停,DRAM类股上下游的封测、IC设计也红通通。