内存模块大厂劲永国际(6145)董事长吕采妮相当看好今年第二、三季内存市况,并认为,第二季、第三季DDR3以及Nand Flash都将面临缺货潮,处于供不应求的状态,至于缺口大小要看需求程度;
在侵权内容尚未厘清之前,记忆体模组厂今日靠着业绩面撑腰,股价连袂齐扬,其中未能在被告名单之列的劲永(6145)收复所有短中期均线,威刚盘中大涨逾3.5%,代工厂品安(8088) 一度逼近涨停板价位。
半导体设备大厂应用材料财务长George Davis 24日在高盛举办的科技与网路会议上指出,最近设备业景气的复苏主要是由少数大型DRAM制造商所带动,但他认为下半年可望接获部分二线DRAM制造商的订单,以及额外的NAND型快闪记忆体厂商订单。
据研究报告指出,预期今(2010)年全球半导体销售额可望年增19.9%至2,760亿美元,远优于09年的年减9.6%。 Gartner预期,2014年全球半导体销售额将进一步攀升至3,040亿美元。
随着全球景气逐渐回升,半导体厂商投资渐恢复,刺激DARM、NAND Flash需求增温,更有业者喊出2010年第1季将成为「有史以来最好的第1季」。
在智能型手机(Smartphone)及PC等应用产品带动下,日本市调机构预估至2014年全球NAND Flash市场需求将增为2009年的8.8倍,达541.4亿颗(以8GB计)。
中国大陆农历年内存模块销售状况强强滚,全球内存模块龙头金士顿(Kingston)与创见(2451)实际营运优于预期,都认为长假过后补货力道仍强。
全球最大内存厂三星(Samsung;005930-KR)今(24)日宣布,领先业界开始量产40奈米级制程技术完成的低功耗4Gb DDR3产品。这项高密度内存将为数据中心(data center)、服务器系统与高阶笔记型计算机节省相当显著的功率。
据调查显示,2月下旬动态随机存取内存(DRAM)合约价与上旬呈现持平无变动, PC代工厂大陆缺工缺料问题持续发酵,第1季NB出货量恐下修,影响DRAM库存去化速度,3月合约价恐有跌价压力。
据报道,欧洲第二大半导体制造商德国英飞凌周一宣布,该公司及其北美分公司已于2月19日向美国国际贸易委员会(ITC)提起诉讼,指控日本芯片制造商尔必达侵犯了该公司4项与DRAM芯片相关的专利。
在半导体电路技术国际会议上,MRAM、PCM以及FeRAM等非易失性内存的发布齐聚一堂。今年技术发布的看点是(1)意图取代NAND闪存的电阻变化型内存首次在ISSCC上亮相,(2)此前被称为新型内存的MRAM、PCM和FeRAM的开发正稳步前进。
英飞凌(Infineon)向美国ITC控告尔必达 (Elpida)及金士顿、创见、威刚等多家厂商涉侵犯专利,遭控侵权的国内记忆体模组厂创见及威刚对此表示,不予置评。
从今(2010)年开始,记忆元件的供应可能颇为紧俏,主要有下列三个原因:(1) 记忆体需求回升;(2) 去年度相关投资不足;(3) 蚀刻设备供应商ASML交货日期延长。
记忆卡龙头厂商SanDisk Corporation 22日发布新闻稿宣布,该公司容量最高的记忆卡「64GB Ultra SDXC」已开始出货,售价为349.99美元。
据日本经济新闻报导指出,日、美、南韩半导体大厂将自2010年春季起,投产次世代制程的NAND Flash。随着市况明显回温,市占排名在后段班的业者亦将陆续跟进。