近期内存价格的持续上涨让DRAM芯片厂商尝到了甜头,不过在包括三星、美光、力晶等在内的DRAM厂商看来,好光景来之不易,不应该一味扩大产能恶性竞争而重新导致DRAM内存暴跌。
2010年下半NAND Flash市场缺货可能性相当高,主要是看好固态硬碟(SSD)热潮可望在低价市场卷土重来,加上苹果(Apple)iPad新产品卖相看俏,将带动NAND Flash市场需求升温,对2010年市场看法也相当乐观,东芝新厂量产之际可望赶上需
LSI及Agere控告南亚科、力晶等DRAM厂专利侵权案,已获美国国际贸易委员会(ITC)获判其美国专利号码5,227,335之专利无效之终判决定(Final Determination),南亚科全球业务营销副总暨发言人白培霖表示,南亚科尊重他人智慧财产权
据报道,日本最大的内存芯片厂商东芝将重启因经济衰退而搁置的产能扩展计划,它将从7月开始建设新的闪存生产厂。
东芝是全球第2大NAND Flash厂,仅次于南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics),2者市占率分别在30~36%伯仲之间,东芝的市占率是2009年开始追赶上来,再早之前三星在全球NAND Flash市场的市占率高达40~50%。
据报导,ThinkEquity将全球记忆卡龙头厂商SanDisk Corporation第1季营收、每股盈余预估值分别调高至10.2亿美元、0.58美元,并将2010年营收、每股盈余预估值分别调高至49亿美元、2.92美元。
在合约市场方面,本月下旬合约价持平,DDR2颗粒维持于2.31美元,DDR3持平于2.5元,都维持3月上旬水准。由于合约价与现货价已拉出一段价差,预料在现货领涨带动下,4月合约价可望顺利调涨。
DRAM缺货行情持续发烧,DDR3现货价在DRAM大厂和系统厂双方的拉锯下,再度站上3美元新高,DDR2现货价也因为供给吃紧而涨到2.85美元,缺货行情是一发不可收拾,现货价格持续上涨,主要是PC客户抢进现货市场的补货效应;
拜终端市场需求、价格优于预期(主要是DRAM产品)之赐,营收可望达5,400-5,600万美元,优于先前预期的4,800-5,200万美元;毛利率将介于34-38%之间,优于先前预期的28-32%;每股稀释盈余将达0.20-0.24美元,优于先前预期的0.
美光的营运状况正在快速复苏,而该公司的自由现金流量也颇为稳健。美光的营运状况已连续4季呈现正面。费城半导体指数成分股美光22日闻讯劲扬3.82%,收10.33美元。费城成分股SanDisk 22日亦同步劲扬4.85%,收33.82美元。
因半导体需求走高,故全球第2大NAND型快闪记忆体(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)计画投下约3,500亿日圆资金重启NAND Flash的新厂兴建计画。
2010年第1季还没过完,DRAM大厂三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、力晶纷纷站出来挂上休兵符,呼吁DRAM厂应该要节制投资和扩产,以免重蹈价格崩盘的覆辙。
三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等大厂在走进SSD时代后,由于用在PC的零组件轻忽不得,遂纷收回控制芯片采购权,改采自家芯片,NAND Flash控制芯片产业势必将展开一波整合及淘汰赛。
22日指出。受制DRAM产业供给方面在产能扩充、资本支出、浸润式机台供给有限,以及40nm以下制程转进难度高影响下,DRAM位成长有限。
22日报道指出,智能型手机今年成长率将达28.6%,激励行动内存(mobile DRAM)需求大幅成长。去年智能型手机搭载的mobile DRAM主流容量为128MB,今年新款智能型手机,搭载的mobile DRAM容量高达256MB。