南韩内存大厂三星电子(Samsung Electronics)宣布推出超高容量的32GB内存模块,加上其低功耗的特性,此产品将瞄准服务器市场,预计下个月开始大量供货;

内存市场缺货声浪持续发烧,从标准型DRAM蔓延至利基型DRAM芯片,512Mb容量DDR1价格1个月大涨超过40%,更使得手机用MCP(Multichip Package Memory;MCP)内存涨声四起;

中华信评昨天发表报告指出,动态随机存取记忆体(DRAM)晶片价格强劲反弹,已使DRAM业去年第4季获利回升,但单靠此复苏之势,恐怕不足以协助晶片制造业者修复信用结构,若不能持续投资制程技术升级,将无法维持竞争力。

DRAM厂海力士、南科(2408)都喊出今年第二季淡季不淡,南科甚至已先预告有意续调涨合约报价一成,消息一出,记忆体相关类股齐扬,其中DRAM股茂德(5387)、力晶(5346)落后补涨效应涨势最为凌厉,茂德率先攻上涨停、力晶则涨逾半根停板,记忆体IC设计

据报导,日本半导体大厂瑞萨科技(Renesas Technology)与台湾力晶(5346)将解除Flash芯片的研发合资事业,瑞萨计划把股权、设计资产及债权债务转让给力晶,于今(2010)年3月31日解散双方在日本的合资公司。

中芯(SMIC)退出利基型内存市场效益延烧,客户扩大对台厂下单,近期利基型内存市场一片喊缺,本月现货价大涨逾45%,报价触及一年多来新高,华邦(2344)、晶豪科(3006)、力积(3553)、钰创(5351)等业绩大补,着手募资扩大商机。

2010年标准型DRAM、利基型DRAM、NOR Flash等存储器需求大好且价格飙涨,加上NAND Flash市场一向是主战场,使得各种存储器在产能上出现排挤效应。

中华信评表示,动态随机存取存储器(DRAM)芯片价格强劲反弹,已使DRAM业者营业利益率在去年第4季大幅改善;不过,DRAM业仍需投资制程技术,才能维持竞争力。

DRAM现货价上周暴涨逾一成后,本周近两个交易日涨势稍歇,但最新报价DDR2、DDR3仍守在3美元之上。本季DRAM淡季不淡,第二季价格预期维持在高档,成为主流的DDR3价格可望重新超越DDR2价格水平。

中华信用评等公司30日发布最新DRAM产业报告,指出DRAM晶片价格的反弹,已使DRAM业者营益率在去年第四季获得改善,但因技术不具竞争优势、借款水准高,因此台湾DRAM业仍难以修复其偏弱的信用结构。

南亚科技(Nanya Technology Co., 2408.TW)副总裁白培霖周二称,受市场需求强劲带动,预计公司4月份动态随机存储器(DRAM)晶片合约价格的上涨幅度将大于3月份。

DRAM市场景气看好,现货价上周冲破3美元关卡,引发不利终端需求的疑虑,全球记忆体模组龙头金士顿(Kingston)亚太区行销副总裁陈思轲指出,3美元基本上没什么意义,价格是由市场供需决定,今年第2季可望延续第1季动能。

云端是近两年非常热门的议题,云端代表著全新的网络服务架构,除了彻底改变使用者的使用习惯以外,也对相关软硬件产生革命性影响,对以硬件制造为主要发展重点的台湾而言,了解云端,才能知道各种应用情境之下,硬件该如何设计与配合,以确实掌握商机。

三星电子今日宣布已经开始提供业界上最高密度记忆体模组的样品予伺服器系统使用,此32 gigabyte (GB) 模组是专门设计给需要在低功耗状态下达成高密度与高效能的先进伺服器所使用。

DRAM现货报价再创新高之后,出现回档格局。据3月29日报价指出,DDR3 1Gb品牌颗粒与有效测试颗粒价格皆下跌0.13%,均价分别为3.06美元、3.05美元;

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