DRAM现货价本周一创新高后持续小幅拉回,周四DDR2略跌破3美元关卡,DDR3仍守住3美元,价格重新领先DDR2。
据报导,全球第2大NAND型快闪记忆体(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)计画于2012年开始量产20奈米(nm)前半等级(25nm以下)的Flash Memory,东芝并计画于今(2010)年内投下150亿日圆在旗下四日市工厂第4厂房内
受惠3月DRAM价格强劲走扬,力晶(5346-TW)营运表现更亮眼,3月营收来到新台币68.46亿元,月增24%,年增572%。 DRAM荣景再现,带动市场买盘青睐,力晶股价3月以来大涨39%。
日厂日立(Hitachi)、东芝(Toshiba)与三菱电机(Mitsubishi Electric)协议支付总计2,780万美元,终结美国DRAM价格垄断调查。据报导,日立、东芝、与三菱电机将各负担1,150万美元、920万美元与710万美元,然未承认公
预期2014年智慧型手机内建的DRAM容量将由2009年的123MB大增逾10倍至1.3GB。该机构并指出,2009年第1季智慧型手机与功能手机(feature phones)占全球手机出货量的比重已超过70%,预期2011年底比重将进一步攀升至80%。
美光(Micron)上季净利高达3.65亿美元,重返「一天赚进新台币1亿元」荣景;美光合作伙伴南科、华亚科乐观看待DRAM的营运爆发力,华亚科总经理高启全直言,在50奈米制程优势催化下,每天赚1亿元,是很轻松的事。
受到NAND Flash价格波动影响,第1季毛利率会较2009年下滑,但仍会维持在2位数的水平。展望4月营运,群联则表示目前接单畅旺。
在美光财报传出佳音下,也为两家业者注入一季强心针,虽然第一季受制转换制程影响,法人并不看好南科与华亚科的获利表现,但是3、4月合约价格连番上扬,分别上涨6-10%、10%,对于获利将会有显著的助益,同时进入Q2后,制程转换即将接近尾声,产出亦同步放大,预期
力晶(5346)本业转盈之余,储存型快闪记忆体(NAND Flash)布局也有新方向,以自有40奈米技术生产的16Gb晶片迈入送样,同时结束与日商瑞萨(Renesas)快闪记忆体合资事业,未来力晶将自行在NAND Flash业界闯荡。
记忆体缺货潮逐渐蔓延,从标准型DRAM到利基型DRAM都传出缺货,其中512Mb容量DDR1价格近一个月以来更是大涨超过40%之多,激励手机用MCP记忆体价格跟进走扬。
NOR Flash供应吃紧的状况似乎没有舒解,华邦电表示,客户还是追加NOR Flash的订单,除了第2季已经确定供需吃紧之外,预计到第3季还是呈现产能短缺的情况,可以说已经满单到今年9月,华邦电NOR的产能已经全满,除长期大客户之外,对于临时追加订单,华
茂德目前已经开始为尔必达试产63nm DDR3芯片。而尔必达与力晶半导体的合资公司瑞晶电子也表示,在将生产工艺升级到45nm之前,他们将加大63nm DDR3芯片的产能。
日本半导体大厂瑞萨科技 (RenesasTechnology)确定结束Flash事业,与力晶的合资公司「Vantel」也将解散,力晶决定把股份和技术买回,继续在台湾延续Flash产品和技术开发。力晶发言人谭仲民表示,不会放弃Flash产品线,会持续作下去。
DRAM价格涨势猛烈,受到PC价格热卖激励,DDR2和DDR3价格飙到3美元以上,各业者毛利率急速拉升中,现在即将要进入密集财报期。美光(Micron)将成为第1家打头阵的业者,预计今(1日)揭露财报,预计可较上季每股纯益0.23美元持续增加,交出连续2季
苹果iPad将于本周六(3日)于全美上市,对于上市初期销售数字,华尔街分析师喊出20万台目标,苹果iPad狂潮将再袭卷全球,法人间最近传言Apple近期派近650名技术研究人员至大陆主要供应厂商,紧盯出货进度,另大手笔向Samsung、Toshiba等下单