三星电子宣布正式领先量产业界第一款20奈米级NAND晶片,可用在SD记忆卡与嵌入式记忆体解决方案,基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND,更进一步扩展三星的记忆卡解决方案,可提供智慧型手机、高阶IT应用与高效能记忆卡更多开发选择。

三星26日宣布正式量产20奈米制程NAND Flash芯片,为32Gb容量MLC(Multi-Level Cell)规格产品,未来应用面包括SD闪存和嵌入式解决方案,主要针对智能型手机和高阶手机,预计将于2010年下半进入量产。

第1季的NAND Flash市场没有缺货问题,第2季价格上涨机率不高,短期会比较辛苦,但第3季市场一定会好,因为很多消费性电子产品的备货需求都将启动,预计第3季的NAND Flash价格会有一波涨势。

利基型内存(SDRAM)接棒DRAM和NOR Flash内存涨势,市场对后市相当看好。钰创董事长卢超群表示,利基型内存目前处于供不应求的情况,市场缺口约5~10%,价格将会持续调涨,预计到年底前景气都相当乐观。

群联(8299)董事长潘健成昨(26)日表示,晶圆厂产能满载,5月记忆体控制IC缺货可能出现高峰,且大陆厂商恐将Flash释出,预期价格有下滑压力。

一年内到期长债的企业中,以金额高低排序,主要集中在DRAM与航空。不过宝来投顾副总王兆立表示,DRAM产业已经度过最黑暗时刻且开始获利,投资人不用恐慌。

在下游客户不堪成本过高,要求降价压力下,1Gb DDR3现货价昨(26)日跌破3美元价位,是近一个月来首度失守3美元整数关卡。

第二季涨价幅度绝对超过10%,并且超越标准型DRAM暂时缓涨走势,可望一路涨到年底;NAND闪存则相对价格走势疲软,但在晶圆厂产能满载排挤效应下,预期下月将严重缺货。

台湾DRAM产业由于累积亏损幅度相当大,趁著近2年景气回春,各厂都进行大规模的减资活动。南亚科2009年完成减资66%计画,成功完成瘦身计画,之后经过台塑集团得增资动作,目前成为台湾实力最强大的DRAM厂之一。

三星电子全球最大代理商友尚(2403)表示,虽说今年初全球DRAM以及NAND Flash面临报价回档压力,不过就目前全球供需情况来看,DRAM或是NAND Flash到年底前都可能持续出现缺货状况。

高价DRAM让下游PC系统厂大喊吃不消,在多空拉锯之下,DRAM现货价格近来无法守住高点。根据最新报价来看,DDR3 1Gb价格正式跌破3美元,跌幅0.13%。

钰创科技董事长卢超群表示,目前利基型记忆体供需缺口达5%至10%,预期第2季产品价格将调涨超过1成,并将一路涨到年底。

旺宏(2337)将于本周三(28日)召开法说会,旺宏第一季营收优于公司预期,营运成绩可望创下逾十年以来同季新高,受惠于Nor Flash供给紧俏以及Rom需求增温,预估第二季营收比第一季成长。

由于NAND Flash芯片是2010年唯一还没有表现的内存芯片,市场认为是苹果还没有出手备货,但三星电子等大厂又想要守住价格和毛利率,因此NAND Flash价格现在是上不去也下不来,预计群联法说中,董事长潘建成对于第2、3季NAND Flash市场看法

今年DRAM(动态随机存取记忆体)前景看俏,主流的DDR3 1Gb颗粒产品持稳在3美元之上,上游DRAM厂获利将超越下游的模组厂,封测厂连带降价压力减轻,预期今年将是各家厂商皆赚钱的一年。

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