DRAM厂与模组厂一致看好今年 DRAM 市况,封测厂联测总经理徐英琳则认为,7 月尔必达阵营新增产能能否顺利去化,将左右后续 DRAM 价格走势,是一观察重点。
固态硬碟(SSD)解决方案供应商芯科有限公司(STEC, Inc.)于6日美国股市盘后公布2009年第4季(10-12月)财报:营收年减38.9%(季减63.4%)至3,880万美元;本业每股亏损0.08美元,逊于去年同期的本业每股盈余0.17美元。
USB 3.0芯片商机吸引各路人马抢食,为赶在英特尔(Intel)于2012年初加入战场前先抢地盘,包括祥硕、钰创、威锋及智原将自6月起量产出货,并祭出5折低价,挑战恩益禧(NEC)独大地位,亦使得USB 3.0 Host端控制芯片市场迅速进入一片红海。
智能型手机各种功能对于内存需求庞大,各种内存解决方案样样都来,日前各家NAND Flash大厂推出一系列内嵌式内存解决方案后,快闪记忆卡大厂新帝也不甘寂寞,推出容量高达32GB的microSDHC产品,可媲美1台固态硬盘 (SSD)的储存空间。
细看硬盘,1.8吋以下微型硬盘,则因技术成熟度与良率远不如2.5吋硬盘,加上固态硬盘(SSD)急起直追,目前仅留东芝(Toshiba)独撑市场,1.8吋硬盘出货量逐年减少,未来甚至可能全面退出市场。
智能型手机的内存储存技术五花八门,三星电子(Samsung Electronics)阵营扶植的OneNAND内存技术再度有新突破,采用30奈米制程生产的8Gb容量OneNAND内存已送样给客户,并将于5月底开始量产!
三星电子(Samsung Electronics)推出的OneNAND存储器技术,是1种混合式存储器的概念,其基础概念是将NAND Flash芯片、SRAM芯片和逻辑芯片整合成1颗单芯片。
Neobit OTP是嵌入式非挥发性内存技术(Neobit Embedded One-Time-Programming Technology),用来取代目前ROM code、EPROM/Flash的应用,与ROM不同之处在于,Neobit的编程灵活性可使得
DRAM业于2010年底确定摆脱不景气,营收大幅成长,据预测,2010年DRAM产业将平稳发展,且DDR3将跃而成为主流。
三星电子高管表示,内存芯片供应短缺将持续至2010年底,因竞争对手转至50纳米技术的进程似乎并非易事,整体芯片供应量将不会增加很多。
随着DDR2记忆体的成长速度趋缓,下一代的DDR3记忆体成长速度则加快。这两种记忆体的价格越来越接近,因而抬高DDR3记忆体的采用程度。此外,晶片制造商使其处理器得以支援DDR3记忆体控制器,同时逐渐淘汰较旧型的记忆体种类。
业界对DRAM、NAND Flash等芯片和平面屏幕这2个区块的需求成长都表乐观,但就几个现象看来,业界却也担心是否会出现生产过剩、甚至是泡沫的情况。
广颖电通日前也加入高速记忆卡市场,推出支持Full HD高阶数字摄录像的SDHC记忆卡,支持Class 6标准规格,以及加入支持多媒体数据内容保护CPRM的技术和自动错误改正(ECC)等功能。
全球相变化内存分为3大阵营,包括恒忆/英特尔(Intel)、三星、旺宏/IBM,三星日前推出主攻智能型手机MCP应用的PRAM,以及恒忆的PCM产品等,虽然PRAM、PCM等产品的名称相异,但属于相变化内存技术。