原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出,一如市场预期,在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下,DDR2合约价最后持平开出,而DDR3合约价则是小涨2~3%;

NAND Flash通路三雄友尚(2403)、增你强(3028)、至上(8112) 异口同声认为今年下半年起,在苹果电脑iPhone 4G与iPad下半年起将陆续放量出货,届时对NAND Flash需求势必大增,然而在各大NAND Flash大厂今年供应量

福懋科(8131-TW) 有望成为全球最大DRAM 模组封测代工厂!据报导,由于福懋科今年积极扩展DRAM模组封测产能,下季产能可望由每月225 万组大增至394 万组。

据报导,日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)已研发出一款全球最小尺寸的可携式产品用DRAM,该款DRAM产品的晶片面积可较现行产品缩减约50%至50平方毫米(mm2)以下,和全球DRAM龙头厂三星电子的低电源电压产品相比,其尺寸小了约15-20%。

利基型内存设计公司钰创2010年也加入募资抢钱大作战,日前申请的现金增资和无担保转换公司债于13日正式获得证期局的核准,市场密切观察定价日期。

三星电子(Samsung Electronics)与海外半导体业者之间逐渐拉近的差距在第1季时再度拉大,三星和海力士(Hynix)内部正积极协调,将各在2010年内扩大投资。

PC厂和DRAM大厂5月合约价展开史上最严峻的拔河大赛,业者透露,主要是三星电子(Samsung Electronics)欲调涨DDR3价格,但遭到系统大厂的反对,双方都不肯让步下,合约价近乎难产。

根据isuppli 高级分析师 Michael Yang 的报告指出,首季NAND Flash品牌厂商整体季营收成为43亿5100万美元。

2010年为了充实营运资金,众多存储器大厂都展开募资计画,包括南亚科、华亚科因为要转换制程之故,抢钱计画最积极,而力晶和茂德则是规划减资在募资,进行营运浴火重生;再者象是利基型存储器公司钰创也开始募资大作战。

华亚科技(3474)总经理高启全表示,华亚一年多来,已完成三阶段集资,手握600亿元银弹,预定7月全数导入与美光合作的50奈米堆栈式(Stack)制程,第三季产量大增、成本锐减,有信心在一年内「重返荣耀」,成为台湾最有竞争力的DRAM厂。

DRAM市场行情(价格)料将不会呈现大幅度下滑的局面。(土反)本幸雄指出,今年度DRAM价格即便下滑也将落在2美元左右水准,最乐观的看法是DRAM价格将稳定的维持于目前的水准。

低成本优势的X3(3-bit-per-cell)架构TLC(Triple-Level Cell)芯片开始受到快闪记忆卡和随身碟等产品的采用,间接影响MLC(Multi-Level Cell)芯片需求,加上现在是电子产业的传统淡季,5月上旬NAND Flas

动态随机存取记忆体(DRAM)厂瑞晶电子(4932)自结第1季税后净利达新台币40.81亿元,超越母公司力晶的35.02亿元,居国内DRAM厂获利王,每股纯益达1.39元。

据报道,2010年NOR型快闪记忆体(NOR Flash)销售额可望较2009年的46亿美元上升4.2%至48亿美元,扭转09年的衰退景况并再度恢复成长趋势。

记忆体市场中,DRAM正热,但NAND快闪记忆体的情况却大不同。据观察,全球DRAM销售力道强劲、2010年前三个月的销售额就已经超越2009年上半年水准,但NAND价格却因为客户仍心存观望而呈现下滑。

简讯快报

更多