韩国三星投资165亿美元扩产DRAM,对台湾好不容易从谷底回升的DRAM产业,带来威胁。经济部工业局表示,韩国从未放弃把竞争对手打倒以便独霸,而从台湾下手更可以一举影响日、美。但对台湾DRAM业者来说,TIMC整合任务功败垂成,再来的冲击会不会招架不住?
Intel与美光的合资企业Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示,采用25nm新工艺的NAND闪存芯片已经开始批量出货,相信不久后我们就能够看到采用该颗粒的固态硬盘、U盘、存储卡等产品。
据悉,欧盟19日将与全球几家最大的存储芯片生产商就联合操纵芯片价格达成和解,即承认联合垄断指控以换得罚金数额降低。
根据报导,欧盟将针对10家记忆体厂商包括三星、英飞凌、海力士、美光、尔必达、NEC、日立、东芝、三菱以及南科(2408)将处以罚款,总罚金将高达3亿欧元,预计19日正式公布。对此,南科表示,如果罚款不合理的话,将会采取上诉的动作。
龙头厂三星电子(Samsung Electronics)又宣布历年来最高金额的26兆韩元(约折合228.8亿美元)资本支出计画,让DRAM市场信心度再度崩跌,然18日再度传出多家国际和台系DRAM业者针对涉嫌操控价格一案,将与欧盟和解并付赔偿金,DRAM产
在诸多利空消息冲击下,国内DRAM厂包括力晶(5346)、茂德(5387)闻讯再度被打入跌停,持续创波段新低,南科也出现重挫,华亚科(3474)也在平盘之下弱势整理。
DRAM现货价自第二季以来缓步下跌,目前合约价与现货价拉近,法人估6月合约价再涨的几率不高。展望下半年,除非旺季不旺,否则DDR3 1Gb预估仍将站回3美元,不过,2011年下半年韩国三星开出新产能后,DRAM产业恐再面临供过于求的压力。
三星2010年将砸下26兆韩元(约折合228.8亿美元)资本支出,这对全球DRAM产业可说是投下一颗震撼弹,而台系DRAM厂的反应则是哑巴吃黄莲。
三星电子昨日宣布投入9兆韩元(约79.65亿美元)预算,要扩充存储器产能及进行技术升级,其中光是要盖一座月产能高达20万片的12寸厂这件事,就让DRAM业者看傻了眼。
受到个人计算机需求减弱,以及欧洲债务问题持续蔓延,DRAM现货价格买盘缩手观望,价格小幅下滑,但DRAM厂强调,包括手机端及PC端的需求仍强,预料下档有限。
由于上游DRAM厂及NAND厂的新增产能不断开出,力成科技董事长蔡笃恭表示,今年对于半导体产业对来说,会是很不错的一年。
2010年因为智能型手机风潮逐渐兴起,且象是其它手持式产品如电子书等,都需要用到Mobile RAM芯片,因此带动Mobile RAM的使用容量和需求数量都大幅提升。
在需求大增、大环境景气变好这2大利多因素加持下,业界预测NOR Flash市场规模在2010年可望回到成长状态。相较于2009年的46亿美元,NOR Flash市场规模在2010年可微幅增加4.2%,来到48亿美元。
2010年Mobile RAM市场受惠智能型手机需求带动,呈现百花齐放之姿,尔必达(Elpida)趁胜追击推出采用40奈米制程的2Gb容量DDR Mobile RAM新产品,与现有的产品相较,体积更小且耗电量更低.