储存媒体领导厂商-铼德科技推出全台湾首只不掉盖USB3.0随身碟- RIDATA HD7,除让消费者享受USB3.0高速效能外,同时拥有不必拔盖即可开关使用的方便设计。

NAND Flash大厂三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)制程竞赛拼得火热,在产出持续大幅增加下,10月上旬NAND Flash合约价再度下探.

南韩内存大厂三星电子(Samsung Electronics)宣布进军高容量固态硬盘(SSD)市场,推出容量高达100GB和200GB的产品,主攻高阶企业级用户市场,与内存模块厂主攻的低容量SSD市场策略划出一条界线。

南韩半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20奈米制程量产NAND Flash。此20奈米制程闪存可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置,相较26奈米内存,晶圆(wafer)产出量提高约25%。

DRAM内存半导体价格跌势持续第5个月,韩厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)等内存公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。

南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说,然力晶却抢先公布第3季财报,税后获利19.36亿元,若加计瑞晶获利,第3季获利可望逼近30亿元;

储存型快闪记体(NAND Flash)10月上旬合约价出炉,再创今年新低,不过集邦科技透露NAND Flash在价格大幅滑落后,备货需求已见回温.

DRAM大厂力晶科技(5346)昨(18)日公布今年第3季不含转投资瑞晶之自行结算财务报告,第3季营收达250.24亿元,毛利率达17.35%,每股净利达0.34元。

最新研究报告指出,三星电子(Samsung Electronics Co)、Hynix等一线DRAM厂商的盈余数据可望在2011年第1季软着陆。该券商表示,一旦上述假设基础应验,南韩DRAM双雄股价将可触底回升。

10 月上旬储存型快闪存储器 (NAND Flash)合约价出炉,由于市场需求依然疲弱不振,NAND Flash合约价持续走跌,再创今年新低价。

10月上旬DDR3合约价再度重挫6~9%,符合DRAM业者对于下半年供过于求问题发酵的趋势,由于近期日系和台系业者面临库存压力遽增,因此持续低价走货,使得2GB容量DDR3合约价面临30美元关卡挑战。

10 月上旬DRAM合约价持续滑落,跌幅约6%至9%;DRAM颗粒价格可望在明年第1季末或第2季初落底,下半年市场有机会回复供需平衡。

全球NOR Flash产业版图大整并,台湾势力趁势窜起,上半年打下相当稳固的基础,也受惠NOR Flash报价上扬也获利丰厚,但展望未来还是要看各家的产品进度和制程技术能力,才能在第2回合之战中保持战斗实力。

拥有裕隆(2201)、联电集团(2303)背景的NOR Flash硅智财(IP)专业厂商常忆科技(3408)即将于本月29日正式登录兴柜,该公司董事长为徐善可,同时担任裕隆集团副执行长;总经理为王筱瑜,产业经历丰富。

晶圆代工厂第3季产能利用率仍维持在满载水位,但后段晶圆测试厂京元电、欣铨的8月及9月营收虽仍同步保持在高档,但10月之后产能利用率已明显滑落,主要原因是利基型DRAM及快闪存储器等订单突然喊卡。

简讯快报

更多