11月上旬DRAM合约价,比10月下旬再下跌近8%,延续破底走势。预估,本季DRAM价格跌幅恐逾三成,力晶(5346)、南科等DRAM厂本季营运不乐观。
11 月上旬动态随机存取内存 (DRAM)合约价出炉,因市场依然严重供过于求,合约价持续破底,较10月下旬再下跌7.97%。
根据报导指出,英特尔(Intel)今年提早开打圣诞节年底商战,大砍固态硬碟(SSD)价格达10~15%,给OEM厂商和消费者提早献上圣诞节礼物。英特尔固态硬盘机 (SSD) 产品系列不仅调整价位并推出新容量版本。
NOR Flash应用领域涵盖个人计算机(PC)、通讯、机上盒(STB)、手机、硬碟、DVD播放器等消费性电子产品,2010年此市场由于供需严重失衡,导致价格持续上涨,原本是序列式快闪存储器(Serial Flash)先带头上涨,之后并列式快闪存储器(Pa
2Gb DDR3芯片大举杀出,导致DRAM现货价和合约价持续崩盘,由于价格跌幅又急又深,已威胁到DRAM厂的财务状况,尔必达(Elpida)宣布二度减产,但仍是无济于事;
DRAM产业好光景延续不到2年,再度陷入崩盘危机,在华亚科50奈米制程转换成功之后,美系阵营2Gb DDR3产能几乎是倾巢而出,快速取代1Gb芯片成为业界主流,并引发2Gb芯片报价狂跌,不但现货价已跌破2.5美元关卡,11月合约价跌幅再度逼近10%。
尔必达(Elpida)申请来台发行存托凭证(TDR)获得经济部工业局核准,尔必达社长坂本幸雄亲自来台,并与经济部达成共识,引发台DRAM厂高度关注。尽管证交所与金管会招商成功,尔必达风光成为第1家来台发行TDR的半导体大厂。
DRAM现货价上周呈现暴跌走势,特别是DDR3 1Gb颗粒成为重灾区,上周五最后一盘DDR3 1Gb品牌颗粒报价加码下跌2.5%,均价只剩下1.41美元,不仅持续破底,也已经低于DRAM合约价,是标准的空头走势。本周将开出11月上旬DRAM合约报价,在现货
最新的DRAM现货报价,跌幅呈现趋缓,却难以止跌,其中DDR3 2Gb与DDR3 1Gb品牌颗粒价格分别下跌0.37%、0.83%,收2.68美元、1.43美元。至于DDR3 1Gb有效测试颗粒报价小跌0.26%,收1.53美元。
内存模块大厂金士顿(Kingston)力推亲民版的固态硬盘(SSD)产品SSDNow V100系列,针对一般消费者所量身定做,可用来升级笔记本电脑(NB)和桌面计算机(DT),除了既有的64GB和128GB容量之外,也增加256GB大容量产品。
三星电子(Samsung Elctronics)日前才在DRAM领域以市占率突破40%创下最高纪录,然而在闪存(NAND Flash)领域的市占率则为小幅下滑局面。
随着标准型DRAM价格持续下滑,DRAM大厂三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、尔必达(Elpida)等开始积极布局高毛利的服务器市场,陆续推出针对服务器用的低负载双列直插内存模块(Load Reduced Dual
DRAM现货报价持续探底,10日晚间DDR3 1Gb现货价大跌5%,昨(11)日接续走跌,DDR3 1Gb品牌颗粒大跌5.01%,一举掼破1.5美元成本关卡,主攻DDR3 1Gb的台系厂商大受冲击,上一季仅转NOR Flash及利基型产品的旺宏(2337)
DRAM现货价持续跌势,DDR3 1Gb昨日大跌逾5%,下探1.5美元关卡,向下与合约价贴齐。十月下旬合约均价已重跌至1.53美元,市场预期,本季底前1.5美元大关将不保。
NAND Flash品牌供货商预估第四季的位季成长率均为正成长,不过对于ASP价格走势却相对悲观,包括三星、海力士等厂商均预测第四季NAND Flash ASP将下跌逾10%。