北韩23日下午向南韩所属的延坪岛开炮,南韩驻军也立即向北韩炮兵基地还击,并进入紧急备战状态。市场关心,两韩战火是否会越演越烈,甚至是否会冲击到南韩当地DRAM与面板两大重量级产业。

DRAM现货价持续破底,本季跌幅已逾三成,但从反向思考,再跌的空间也已有限;随著电子股人气回笼,力晶(5346)强攻涨停,现增案顺利完成的南科(2408)以及子公司华亚科(3474)股价亦同步上扬。

分析师预测NAND型快闪存储器价格已在第3季触底,记忆卡大厂SanDisk收盘大涨逾6%。美银美林证券亦看好明年NAND FLASH优于DRAM。若NAND FLASH价格回稳,有利创见(2451)、威刚(3260)、劲永(6145)等模块厂营运走出谷底。

台湾动态随机存取记忆体(DRAM)大厂力晶今主动撤销申请发行8亿股的海外存讬凭证(GDR),力晶强调因DRAM价格重挫,此时不利GDR发行,因此主动撤销。

DRAM价格持续下滑,记忆体模组大厂威刚(3260)董事长陈立白昨表示,若韩国三星不减产,DRAM将持续供过于求,价格落底恐还需要等,目前还看不到落底时程。

原本固守军事用固态硬盘(SSD)领域的忆正存储,开始大举进军工业计算机(IPC)市场,主打将军规标准的In-Drive UPS和Health Doctor特殊技术带入工业计算机用SSD产品上,大抢内存模块厂饭碗;

DRAM大厂尔必达与力晶(5346)日前相继宣布针对标准型DRAM进行减产,希望可以改善市场供需情况,同时提振价格。

三星电子(Samsung Electronics) 2011年将致力于提升DRAM内存半导体制程技术水平,再拉大与其他竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示,2010年采用30奈米级制程制造DRAM,2011年上半计划实行20奈米级制程推出产品。三

威盛旗下子公司IC设计公司威锋USB 3.0全方位包围USB 3.0商机,继USB 3.0外接式硬盘盒SATA芯片量产出货之后,USB 3.0集线器(Hub)控制芯片再传捷报,近期顺利打入主板大厂供应链,传出获技嘉青睐;

USB 3.0商机正快速从外接式硬盘盒和随身碟领域切入,目前USB 3.0随身碟芯片解决方案多采用2颗芯片,包含SATA/NAND Flash芯片和SATA/USB 3.0芯片,但成本太高,随着威锋、银灿、智微等业者陆续推出单芯片解决方案后,预计2011年

据报导,受到个人电脑晶片价格不断下滑的拖累,晶片制造商股价已低迷了好一阵子。然而,随着愈来愈多业者将产能转移至生产手机晶片后,分析师认为情况将在未来数月出现好转。

为了防止价格持续下滑的DRAM陷入崩盘困境,日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)将减少对台湾代工厂的PC用标准型DRAM采购数量。报导指出,因帮尔必达代工生产DRAM的台湾厂商大半皆维持原先的生产计划不变,故尔必达减少采购数量的措施能否改善市场供需状况

内存模块厂劲永也加入USB 3.0行列,推出新一款的USB 3.0随身碟Cool Drive U339V,内存容量从低容量8GB到高容量64GB,劲永指出,USB 3.0随身碟也向下兼容于USB 2.0接口,是采用单芯片的技术,传输速度比USB 2.0快上

NAND Flash内存在行动产品上的应用其来已久,但相关储存媒体的技术发展在整个行动产品架构方面,往往都被摆到优先度较低的层级,也因为消费者对此架构改变的敏感度较低,导致硬件厂商在这方面的重视程度往往不如核心处理器。

模块厂投资封测厂策略几乎是全倒,由于microSD生产制造端已全部被NAND Flash大厂揽下来,原本只有三星和东芝直接供应microSD卡,2010年连原本只做自有品牌的新帝,亦跳下来供应microSD白牌记忆卡,模块厂被迫举双手投降,几乎所有micr

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