新一代网络设计和宽带平台对于带宽和延迟条件要求更为严谨,使得RLDRAM设计架构的内存应运而生,其采用高速运算的8储存区结构,并增加带宽的双倍数据速率I/O,这两项关键性的功让能RLDRAM内存成为新一代的网络设备青睐。

南朝鲜军事紧张关系对于DRAM报价激励未产生实质性的帮助,市场还是回到供需面看待DRAM市场未来的前景;

为了迎接2010年的圣诞节旺季,英特尔(Intel)宣布调降固态硬碟(SSD)价格,预计将再创新一波SSD采购热潮。

明年第一季在中国农历年假期与平板计算机及智能型手机新机种上市的帮助,预期明年第一季NAND Flash市场受淡季的影响程度将会低于第二季,2011下半年价格跌幅将会小于上半年。

今年DDR3 2GB合约价从年初高点至今跌幅达46%。展望2011年,预估2011年DRAM产出全年成长在厂商加速制程转进下,可达50%,预估价格在明年第一季或第二季落底。市场期望DRAM随着搭载的成长,能让市场由超额供给回复至供需平衡,明年下半年市场价格

两韩交火,三大法人昨(24)日大举回补内存族群。惟内存现货价昨天走势不同调,储存型闪存(NAND Flash)强势走扬,8Gb容量涨幅逾2%最抢眼,有助群联(8299)、威刚等概念股走势,DRAM则小跌约0.6%以内。

国内IP厂智原(3035)近期USB3.0布局逐步发酵,预计随着明年第一季推出2 port的USB3.0芯片,USB3.0产品明年全年度营收将可望突破6亿元,占营收比重有机会超过1成。

南北韩23日发生军事炮击事件,引发市场对于DRAM和NAND Flash产品线后续有转单机会的联想,24日DRAM类股虽然相对抗跌,但DRAM现货价倒是不涨反跌,加上24日南北韩军事摩擦没有进一步的冲突,市场在激情过后,逐渐回复基本面来看待;

智能型手机用内存eMMC(embeded Multi Media Card)战火热!继三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、金士顿(Kingston)和群联携手都加入战局后,多芯片封装(MCP)解决方案供货商科统也将于2

朝鲜半岛紧张情势升温,市场对DRAM报价止稳有所预期,然而DRAM现货价却相当不赏脸,仅止稳半个交易日,昨日晚间6点最后一盘现货报价开出,仍旧呈现下跌走势。

南朝鲜交火,并未激励今天动态随机存取存储器 (DRAM)产品现货价出现暴涨走势,不过,现货价顺利止稳,较昨天持平表现。

DRAM产业景气不佳,现货价格持续下跌,力晶日前主动要求撤销申请发行8亿股的海外存托凭证(GDR);力晶指出,以目前产业的市况不适合再办理筹资,因此决定撤回,待DRAM产业景气好转再决定是否筹资。

南北韩军事紧张情势再度升高,由于南韩是全球内存DRAM和NAND Flash生产重镇,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合计囊括全球超过60%市占率,NAND Flash则合计有超过50%市占,加上台湾DRAM产业近2

智能型混合讯号连接解决方案业者史恩希(SMSC)宣布购并USB 3.0控制芯片公司Symwave,未来会将双方产品做整合,SMSC相当看好USB 3.0未来的应用前景,这也是继SMSC在先前取得Symwave的14%的股权之后,双方正式宣布合并。

韩国三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)两家存储器大厂是全球主要存储器产业的供应者;三星的晶圆厂都位于韩国,旗下包括8寸晶圆厂Fab 9,以及12寸晶圆厂Fab 11A、Fab 11B、Fab 12、Fab 13和Fab

简讯快报

更多