根据分析师的看法,在电脑、智慧型手机等重要终端市场出货量增加的情况下,2011(明)年半导体产业销售额将成长7%至3,200亿美元左右;半导体设备销售成长率将跌破10%。

内存价跌尚未落底,DDR3 1Gb颗粒报价已经低于1美元,就连DDR3 2Gb现货价也失守2美元,均低于DRAM业者的成本价。DRAM业者为了进一步降低成本,已向后段封测厂喊话降价,希望可以共体时艰。据了解,内存封测厂明年第一季订单的降价压力明显升高,预料

韩半导体厂海力士(Hynix)完成30奈米级记忆体制程开发作业,预计2011年第1季投入量产。海力士社长权五哲对外表示,30奈米级DRAM产品开发作业已按计画完成,2011年第1季将开始量产。目前南韩境内仅有三星电子(Samsung Electronics

尔必达(Elpida)社长坂本幸雄将于2011年初访台,洽谈在台湾成立控股公司,将力晶、瑞晶和茂德3家台厂连同尔必达进行4合1大整并的细节,若能整并成功,「新尔必达」的市占率将一举超越海力士(Hynix)成为全球DRAM二哥;

据报导,由于2Gb DRAM产品价格较2颗1Gb DRAM产品价格低廉,因此近来南韩正掀起世代交替风潮,纷纷提升2Gb产品产量。生产2Gb产品所使用的微细制程也较先进,南韩业者不仅可借此主导市场,由于其收益性较1Gb更高,将能减缓近来DRAM价格暴跌的影响

2008年经历全球金融风暴和DRAM报价大崩盘的震撼,台湾DRAM产业陷入倒闭危机,连带影响各厂背后的金融体系将面临骨牌效应,当时经济部开始介入主导台湾DRAM产业纾困和整合,祭出短期纾困,以及中长期则走向整合(Consolidation)的目标。

DRAM报价持续重挫,冲击美光(Micron)获利,美光上周公布9月至11月财报,单季获利衰退55%,毛利率更从上一季度的37%锐减至26%,体质更微弱的台系DRAM厂本季恐将全数缴出亏损财报,连前3季大赚的力晶(5346)也不例外,上周DRAM现货价仅D

动态随机存取存储器(DRAM)产品价格急遽滑落,DRAM制造厂已纷纷要求后段封测厂调降明年第1季价格。封测业者表示,目前买卖双方仍在协商阶段,降价压力确实大。

东芝(Toshiba)计划将系统芯片的生产制造,外包给韩国的三星电子(Samsung Electronics),藉此专注集成资源,以加强NAND Flash存储器业务。

美系内存大厂美光(Micron)对于未来DRAM价格持续看跌,认为会再修正25%之多,也意味目前市场多余库存问题仍严重,加上制程转换的2Gb产能源源不绝加入,DRAM市场供过于求问题十分严峻,需要1~2季的时间作调整;

美系内存大厂美光(Micron)预测2011会计年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NAND Flash报价将持续走跌,其中DRAM价格会下跌约25%,而NAND Flash价格会下跌约10%,美光表示,将致力于制程技术微缩,以期能持续

美系内存大厂美光(Micron)看好未来平板计算机、固态硬盘(SSD)等NAND Flash相关应用,未来景气会持续复苏,供给有机会呈现吃紧状态,因此持续扩产;

台湾MIC产业顾问兼副主任洪春晖指出,类比IC厂商面临IDM厂委外代工增加,压缩投片空间,再加上晶圆代工厂未来6寸及8寸扩产机会不大,产能长期恐面临不足的窘境,估计记忆体厂因DRAM价格持续滑落,未来将可能提供部分产能生产类比IC。

美国内存大厂美光(Micron Technology Inc.)于22日美股盘后公布2011会计年度第1季(2010年9-11月)财报:营收由6-8月的25亿美元下滑至23亿美元;净利金额为1.55亿美元(相当于每股盈余0.15美元),逊于6-8月的3.4

据报导,美国内存大厂美光(Micron Technology Inc.)于22日美股盘后公布2011会计年度第1季(2010年9-11月)财报时指出,本季(12月至2011年2月)DRAM、NAND Flash报价预估将分别季减25%、10%。

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