据27日报导,日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)计划利用日本广岛工厂与台湾子公司瑞晶电子(4932)正式量产采用30nm制程的DRAM产品,并计划于今(2011)年内将其月产能自现行的数千片(以12吋晶圆换算;
英特尔(Intel)积极布局固态硬盘(SSD)市场,2011年初抢先推出采用SATA III接口510系列SSD,近期相关业者透露,英特尔SSD代工订单花落光宝集团旗下建兴电,采用Marvell控制芯片。建兴电对此表示,无法针对客户作评论。
力晶26日宣布,与尔必达(Elpida)之间的DRAM产销合约正式完成,力晶放弃标准型DRAM和瑞晶30%产能之余,也宣布无偿取得尔必达Mobile DRAM技术及销售权,未来力晶在Mobile DRAM领域将保有自有品牌,也可为其他业者代工。
力晶2011年初宣布放弃标准型DRAM销售权,转型为专业代工厂后,26日正式宣布与尔必达(Elpida)的新合作协议定案,未来力晶旗下12吋晶圆厂产能中,将有超过50%比重是从事晶圆代工业务,包括LCD驱动IC、CMOS Sensor IC、NOR Fla
IC通路商增你强表示,2011年聚焦平板计算机(Tablet PC)和智能型手机(Smartphone),带动相关NAND Flash和触控面板IC订单需求强劲,将为该公司2011年重要的营收成长动力,对于全年展望抱持乐观看法。
4月下旬合约价持续呈现涨势,涨幅约为1.4%。主要原因为PC OEM采购转趋积极,以及近期部分DRAM厂40奈米制程良率出现问题所致。
4月26日,据报道,日前,三星电子的一款产品进入其合作伙伴微软公司位于Munich的技术中心,在这里,其最新的DDR4芯片将面向微软消费者进行展示。如果此次展示取得成功,那么该产品将在微软全球25个技术中心进行展示,包括位于Reading和Edinburg
美光(Micron)看多NAND Flash 市况,台湾DRAM厂也积极在NAND领域耕耘。力晶(5346)自行开发的90与70奈米NAND晶片已迈入盈利,40奈米产品送样中,抢得台厂 NAND布局头香。
未来不排除再扩大NAND Flash产能,可行方案包括释出代工权给华亚科生产,或是启动新加坡二厂。美光指出,未来NAND Flash策略不追求市占第1,但要做到成本最低
未来内存产业如果不能DRAM和NAND Flash产业双栖,势必无法通过严峻的景气循环考验,如果能出现DRAM、NAND Flash、NOR Flash产业的三栖发展,将会是最好的组合。
全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)于22日宣布,旗下半导体主力生产据点将于4月29日-5月5日的大型连休(黄金周)期间不停工持续进行生产。东芝表示,因智能型手机需求持续扩大,故旗下生产NAND Flash的四日市
2010全球快闪记忆卡和随身碟市场中,新帝(SanDisk)和金士顿(Kingston)各霸一方,前者以市占率超过40%蝉联全球龙头,后者则以市占率超过30%成为全球随身碟市场榜首,在台系内存模块厂方面,仅有创见及威刚挤入全球前5强;
DRAM和NAND Flash标准型内存市场越来越成熟,模块厂获利空间也越来越有限,继投入发展DRAM和NAND Flash以外产品如数字相框、外接式硬盘盒后,工控领域成为模块厂的新蓝海。
DRAM设计钰创(5351-TW)董事长卢超群透露利基型内存产能吃紧,加上日本强震冲击,整体产能缺口已达两位数之高,看好第2、3季利基型内存价格走势,消息激励今(22)日DRAM设计族群股价走势,钰创与晶豪科(3556-TW)股价直奔涨停锁住,而力积(35
原本DRAM厂产能已相对有限,加上日本地震影响,更使产能缺口情况加剧,目前缺口幅度比例已达 2 位数之高,因此对第2、3季利基型记忆体价格走势乐观,预期将朝正面发展。