祥硕强调,其后公司所开发生产之USB 3.0芯片均系自行研发,而祥硕的USB 3.0装置端控制芯片并已获USB-IF协会之认证,成为全球第二家获认证之公司(第一家则为美商LucidPort),与所谓威盛之技术毫无关涉。
4月上旬DRAM(动态随机存取记忆体)合约价续涨,南科(2408)、华亚科(3474)本季有机会转亏为盈,带动昨股价续攀升,南科更拉涨停,提早掀开法说行情。
近期又传出三星可能大手笔向SK海力士采购智能型手机年产量10%的Mobile DRAM,不过此消息,SK海力士与三星的相关人士不表达任何公开的意见。
全球最大DRAM制造商南韩三星半导体决将移动存储优先供自家即将上市的智能型手机使用,使五一长假移动存储和标准型内存已提前展开抢货,拥有货源的通路商包括大联大(3702)、至上及台系制造商南科、华亚科和模块厂威刚、创见等齐赚机会财。
华邦电即将在4月26日召开法人说明会,就首季财务数字与营运概况做说明,法人认为内存市场今年面临缺货问题,华邦电本季不仅可由亏转盈,下半年更具强劲的获利爆发力。
据报道,内存市场正在受到电脑市场销售低迷的影响,导致随即而来的DRAM价格平稳化。行业观察员表示,这一情况将会使即将推出的DDR4 DRAM的广泛实用面临推迟。
多数存储器模块厂从第2季起就开始停止USB 2.0U盘新产品的推出,仅旧款产品持续销售,全面推出USB 3.0U盘新品,虽然目前占整体出货量比重仍不高,仅10%出货的U盘比重,预计年底有机会拉到40%,明年USB 3.0U盘将成为主流。
内存模块厂商广颖(4973)受惠于今年Q1 NAND Flash价格上涨达2-3成,广颖因NAND Flash相关产品占整体营收8成左右,在价格上涨以及低价库存效益发挥下,法人预估,广颖今年第一季毛利率可望较上季提升3个百分点,达13%的水平。
IBM将通过这项计划将闪存应用到数据中心之中。像大数据那样的技术开发项目将令闪存成为企业的主流存储技术,因为企业需要利用所谓的“热数据”,即需要实时使用的信息。
4月11日,三星电子表示,从上个月开始,已全面量产高性能10nm级128Gb闪存。128Gb 3bit MLC闪存是目前储存半导体中容量最大的产品,三星电子通过量产128Gb 3bit MLC闪存,将全面扩大大容量产品及SSD市场,并快速推进64Gb ML
展望未来,南科预期,因供给增加有限,DRAM市场长期仍将供不应求;尤其,近期受3月南投地震影响,加上南北韩情势紧张,4月DRAM价格可望持续走扬,只是目前价格基期已高,后续涨幅将相对缓和。
现今有越来越多传统IT或大规模的云端数据中心,将高阶处理功能储存在SSD,同时搭配高容量的HDD硬盘,以分层式的基础结构来储存应用环境中大量存取频率较低的内容。
PC外围IC设计厂创惟(6104)3月营收月增20.89%来到9199.9万元、年减12.51%。总计创惟Q1营收则是季减17.34%、年减2.5%来到2.62亿元,为近9季以来的新低。
OCZ或于下月推出Vertex 5 SSD,此SSD将采用一个升级版的barefoot 3控制器、以及20nm的NAND Flash芯片,具体名称和推出时间仍然未知。
今年中高阶智能型手机采用的Mobile DRAM容量,由1GB拉高一倍到2GB,但供给量无法顺利开出,4月以来Mobile DRAM严重缺货。