南茂科技今年第3季受惠于DRAM存储器封装,4K2K大尺寸驱动IC封测、薄膜覆晶封装(COF)订单,法人初估Q3季营收季增率约7%至58亿元,有旺季效应。
个人计算机及服务器存储器第4季产品合约价走扬,动态随机存存储器(DRAM)厂南亚科看好,可望支撑第4季DRAM合约价维持稳定。
随着NAND Flash生产工艺的提升,以及控制芯片厂的支持,促使固态硬盘(SSD)价格持续下滑,激励市场需求逐渐升温。SSD在消费类、企业、工业、军用、航天等领域应用广泛,2014年SSD市场规模或超过110亿美元,持续扩大的SSD市场规模不仅让三星、英
半导体设备商透露,存储器龙头三星半导体已启动韩国新厂line 18新厂扩建,将全数投入生产DRAM及NAND Flash,预计明年6月完成建厂,第3季装机投产,恐将打破近二年已趋稳定的DRAM平衡,为明年DRAM供需投下新变量。
摩根士丹利证券指出,三星正在兴建中的12吋晶圆厂Line 17,正如期导入20奈米制程,明年将有4万片新投片量产能开出,产能并未转向。不仅如此,SK海力士亦同步扩产,明年DRAM价格有压。
IC设计服务厂创意积极冲刺先进制程技术开发,16奈米鳍式场效晶体管(16FF+)制程低功耗固态硬盘(SSD)矽智财(IP)将于十月设计定案。
NAND Flash控制芯片厂群联董事长潘健成表示,智能手机市场本季需求不振,主要是受到市场上迷漫观望气氛影响,直到苹果公布iPhone 6系列产品规格之后,其它手机品牌厂出现抢零组件热潮。
韩媒指出,DDR4近来逐渐打入服务器市场,今年下半市占将向上提升。IHS也预估,DDR4在DRAM市场的市占率会在两年内超过30%。
2014年初,市场传出美光(Micron)将与日月光携手于西安设立合资封测厂,但是近期业界又传出该合作方案已经终止,并且美光欲转向与台系存储器封测厂力成洽谈西安合资事宜。
日前三星电子宣布,开始量产业界首见的6Gb 20奈米制程LPDDR3移动DRAM,新技术可以提升30%以上的生产力,体积缩小20%,电力消耗量也可以节省10%以上,更重要的是可以大幅减少成本,同时拉开与对手的技术差距。
为了满足高速数据传输的需求,USB开发者论坛(USB-IF)上周完成USB 3.1规格制定,包括祥硕、创惟、钰创等业者,均准备好要大抢巨量资料(big data)带来的庞大商机。
8月受需求减弱影响,闪存卡价格持续下滑,9月受品牌厂新机上市效应,以及十一销售旺季来临之际影响,市场需求明显好转,整体闪存卡价格也开始全面走扬,近一周累积最高涨幅达10%。
慧荣科技今日宣布推出全球最高速度UHS-II(Ultra High Speed Phase II)单通道SD卡控制芯片,获美光Lexar采用。
苹果iPhone 6/6 Plus大卖,NAND Flash供应商日本东芝也扩大出货中,然据了解,苹果iPhone 6/6 Plus首度采用东芝A19纳米TLC规格NAND Flash芯片,128GB eMMC模块采用堆栈8颗芯片的先进封装制程,封测大单则
近几年智能型手机、平板计算机市场规模持续扩大,再加上SSD需求持续升温,对NAND Flash需求日益高涨,东芝社长田中久雄曾表示,NAND Flash在2020年的全球市场规模将是2013年的10倍。三星、东芝在供应NAND Flash上排名第一、第二的