存储器价格血流成河的惨况,明年应该不会上演!韩媒报导,制造商和市场趋势都显示,明年DRAM和NAND Flash供需情况将维持稳定,存储器业有望一路好到2015年。

三星看好本季DRAM与NAND Flash后市,预期DRAM供需平衡、NAND芯片需求强劲。两大存储器市况朝正向发展,法人认为,对同时横跨DRAM与NAND业务的威刚、创见等存储器模组厂有利。

DRAM厂华亚科预计明年底将有8成的产能将全转进到20奈米,为了达此目标,继今年资本支出规划220亿元(新台币,下同),明年将大举提高到500亿元,年增1.27倍。

华邦电新产品NAND Flash 就位!其正式量产1Gb SLC NAND Flash ,拟主攻汽车市场,目前华邦电产品已打入欧美以及亚系两车厂,未来华邦电看好在工控以及汽车等利基市场占比重将升至1 成以上。

存储器四大天王三星、东芝、海力士、美光今年全力抢攻高容量NAND Flash(储存型快闪存储器),退出低容量NAND Flash行列,但在物联网快速崛起下,低容量NAND Flash需求暴增,今年以来呈现供不应求的热况,成为台厂新蓝海,目前台厂中仅有力晶、

NAND Flash明年将是杀戮战场?由于全球最大NAND Flash厂三星电子西安厂正式投产,并宣布开始量产128Gb 3D V-NAND芯片,东芝及SanDisk联军为了维持市占率,已决定加快日本Fab5第2期量产,而SK海力士、美光、英特尔等也开始拉

NAND Flash由平面2D制程走向3D制程的军备竞赛,随着三星10月9日正式宣布量产32纳米32层的128Gb 3D V-NAND芯片后,正式揭开序幕,包括东芝/Sandisk、SK海力士、美光/英特尔等均将在2015年开始投产3D NAND。

三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士等南韩主要半导体大厂持续发掘新成长动能,努力终换来成果。其中,从以DRAM为中心的事业结构,伴随强化NAND Flash事业,在固态硬盘(SSD)市场上也出现显著的成果。

以半导体研究见长的伯恩斯坦(Bernstein)研究机构分析师纽曼(Mark Newman)昨(14)日表示,看好三星不盲目扩产,且不会发动价格战的效应,预期DRAM相关族群将率先受惠。

日本媒体日刊工业新闻15日报导,根据美国SEMI指出,受智能手机用NAND型闪存(Flash Memory)/DRAM需求走扬提振,今年(2014年)全球半导体用硅晶圆出货量(以面积换算、不含太阳能电池用硅晶圆)预估将年增6.5%至94亿1,000平方英吋

韩厂在全球NAND Flash市占日益扩大,IHS iSuppli统计显示,今年第2季(4-6月)三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK hynix)市占率双双提高,分居第1和第4名。

存储器模组厂陆续公布营收,不过第3季由于三星扩厂消息混乱影响DRAM价格,加上中国海关严格执行影响出货,使得旺季不旺,创见、宇瞻、广颖分别只成长2%、4.56%及4.2%,威刚则小减1.75%。

全球存储器芯片龙头三星为巩固存储器事业获利,近期与服务器龙头惠普(HP)等大厂敲定第4季DRAM合约价上涨3%协议,化解市场担心三星启动新一波价格战的疑虑,华亚科、南亚科等业者可望松一口气。

奥地利的Angelbird公司推出了全球首款,也是目前唯一原生支持Mac的Trim指令的第三方SSD,使用的是台湾慧荣科技的2246EN主控。

从决策面的角度观察,SK集团会长崔泰源克服反对声浪,果敢进行投资,在SK海力士浴火重生里起到关键作用,从半导体产业的角度来看,DRAM与NAND Flash价格回稳,加上半导体业况改善,是推升SK海力士业绩走扬的主因。

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